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N76E003带内部上拉电阻吗

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xixi2017|  楼主 | 2018-10-29 17:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
我记得8051好像还要外部搞个排阻,这种增强型号的不需要吧
xixi2017|  楼主 | 2018-10-29 17:50 | 显示全部楼层
N76E003最多支持26个可位寻址的通用I/O引脚,分成4组 P0 到 P3 。每一个端口有它的端口控制寄存器(Px)。端口控制寄存器的写和读有不同的意思。写端口控制寄存器设置输出锁存逻辑值,读端口引脚的逻辑状态。所有I/O引脚(除P2.0)可以被软件独立配置成四种I/O模式中的一种。这四种模式是准双向模式(标准8051端口结构)、推挽输出、输入和开漏模式。每一个端口通过两个特殊功能寄存器PxM1 和 PxM2来选择端口Px的I/O模式。下表指示如何选择Px.n的I/O模式。注意任何复位之后,默认的配置是高阻输入模式。

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xixi2017|  楼主 | 2018-10-29 17:51 | 显示全部楼层
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也就是说,准双向模式就好像当年的那个8051的IO,其他模式的配合,就不需要什么上拉下拉电阻了,我猜应该是这样的。要不然增强哪儿呢。

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jasontu| | 2018-10-30 08:36 | 显示全部楼层
只有quasi mode,有weak pull high resistor

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tianxj01| | 2018-10-30 08:47 | 显示全部楼层
和增强型号没半毛钱关系,典型的51准双向模式,作为输入时,就是一个典型的带弱上拉的IO口。

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yjgna| | 2018-10-30 09:22 | 显示全部楼层
想要输入 内部上拉,必须准双向模式 并且手动拉高  
/* Key Input  Pull-up*/
P16_Quasi_Mode;
P16 = 1;       

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xixi2017|  楼主 | 2018-11-18 14:55 | 显示全部楼层
复制高电平就是拉高,赋值低电平就是拉低,谢谢楼上大神

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huahuagg| | 2018-11-18 19:18 | 显示全部楼层
原来这么配置的,多谢分享。

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21mengnan| | 2018-11-18 21:06 | 显示全部楼层
输入模式往端口写1就是上拉配置

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xuanhuanzi| | 2018-11-19 23:32 | 显示全部楼层
试试输入模式往PIN写高低电平的效果

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598330983| | 2018-11-20 11:18 | 显示全部楼层
输入模式提供真实的高阻输入路径。虽然准双向模式也可以作为输入引脚,但是它需要相对强的输入
源。输入模式的好处是减少在逻辑0时电流的消耗,如果是准双向模式,逻辑0时总是消耗来自VDD 的电
流。用户需要注意的是,输入模式应该由外部设备或电阻提供一个确定的电平。悬浮的引脚在掉电状态
下会引起漏电。

准双向模式
准双向模式作为标准8051的I/O结构,可以同时用作输入和输出。当端口输出逻辑高时,驱动能力较弱,同时允许外部器件将电平拉低。当引脚被拉低时有强驱动能力,会吸收大电流。在准双向I/O 结构中,有三个上拉MOS管,适应不同的应用。其中一个上拉叫做特弱上拉,当端口锁定在逻辑1时,打开特弱上拉,特弱上拉有很小电流将引脚拉高

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杨德金| | 2019-1-27 11:53 | 显示全部楼层
学习学习

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xixi2017|  楼主 | 2019-1-27 23:17 | 显示全部楼层

嗯,谢谢支持。

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yiy| | 2019-1-27 23:33 | 显示全部楼层
上下拉电阻那种太低端。

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