电源适配器开关选用MOS管10N60,MOS管比三极管常用原因所在

[复制链接]
157|4
 楼主 | 2018-11-6 11:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的


开关三极管(Switch transistor)的外形与普通三极管外形相同,它工作于截止区和饱和区,相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用,被广泛应用于各种开关电路中,如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等

在开关电源的开关管中常用的是MOS管,那是因为

1、MOS管比三极管来说损耗更低,

2、MOS管为电压驱动型,有电压就能够导通

3、MOS管的温度控制特性(导热、发热)比三极管好

4、MOS管驱需要的动率小一个驱动信号可以控制大电源电流,方便。三极管需要需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。

5、MOS管是电压控制器件,栅极电流极小,MOS管饱和导通时产生的压降低,耗散功率小,效率也更高

6、MOS管开关静态时漏电小,功耗小


而飞虹设计的适配器方案中开关Q采用的是高压MOS,如2N60、4N60、7N60、8N60、10N60等。其中10N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。ID(A)= 10A,BVdss(V)= 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V,低电荷、低反向传输电容开关速度快。广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

以上内容为开关电源开关管MOS特性针对三极管来对比的,在众多开关电源开关管应用中,由于MOS特点比较好,因此普遍被应用。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
| 2018-11-6 18:43 | 显示全部楼层
第一段就说错了。
| 2018-11-6 18:52 | 显示全部楼层
在集成电路中,MOS管的D和S确实是一样的。
但是分立元件的MOS管,D和S完全不一样。
1,MOS管除了D,S,G三个极,还有一个衬底,是G和衬底之间的电压决定了MOS管的导通和关闭。
   而三脚封装的MOS管衬底常常是和源极连在一起的,所以就变成G和源极S之间的电压决定了MOS管的导通和关闭。
2,正是因为衬底和S接在了一起,导致了S和D之间有一个寄生的体二极管,
3,漏极D是发热最严重的地方,所以直接跟散热片相连,而且根据帕尔特效应,D极连接散热片散热效果最好。

集成电路中,一般将NMOS的衬底接VEE,将PMOS的衬底接VDD,而不是和源极S相连。
但是必须保证D或S的电压不超过衬底偏置,否则容易产生寄生可控硅锁定效应。

评论

whtwhtw 2018-11-7 09:22 回复TA
专业! 
ecjd 2018-11-18 20:56 回复TA
说的很清楚,专业! 

评分

参与人数 1威望 +4 收起 理由
tianxj01 + 4 赞一个!
扫描二维码,随时随地手机跟帖
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复

您需要登录后才可以回帖
登录 | 注册
高级模式
我要创建版块 申请成为版主

论坛热帖

关闭

热门推荐上一条 /5 下一条

快速回复 返回顶部 返回列表