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[STM32F1] STM32F103C8T6内部Flash存储实验

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 楼主 | 2018-11-18 10:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
前一段时间由于需要,特地测试了一下STM32内部Flash存储的的实验,查看了一些野火和正点原子的程序,感觉他们的读取数据都是32位的,所以自己亲测了8位和16位读读写,但是8位读写失败了。16位读写成功了。本次实验先在数组中存储一组数据,然后读取出来放到另一个数组中,串口打印输出。基本需要的都已经给了注释。大家需要的可以下载看看。开源共享,共同进步。

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| 2018-11-19 16:55 | 显示全部楼层
太感谢了  居然是源码
 楼主 | 2018-11-20 09:04 | 显示全部楼层
观海 发表于 2018-11-19 16:55
太感谢了  居然是源码

是的
| 2018-11-20 10:08 | 显示全部楼层
手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

评论

mo_chen 2018-11-20 21:49 回复TA
这个没有注意呢 
mo_chen 2018-11-20 21:50 回复TA
库函数中有32位读和16位读,我调用了16位的度函数。 
| 2018-11-20 16:21 | 显示全部楼层
开源精神可嘉,感谢分享
| 2018-11-20 16:21 | 显示全部楼层
ruanhongyu 发表于 2018-11-20 10:08
手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

请问您参考是哪个手册?

评论

mo_chen 2018-11-20 21:51 回复TA
并没有手册特别说明,可能我没有注意到 
| 2018-11-20 17:12 | 显示全部楼层
F1系列的是《STM32F10xxx闪存编程》,F0系列的在参考手册(Reference manual)里。可以看看官方的基础例程。
| 2018-11-21 12:42 | 显示全部楼层
很有参考价值呀
| 2018-11-21 13:03 | 显示全部楼层
很好呀 感谢分享
| 2018-11-22 15:51 | 显示全部楼层
549884464165
| 2018-11-22 17:42 | 显示全部楼层
哇好棒好棒啊啊啊啊
| 2018-11-26 09:38 | 显示全部楼层
不错顶一个
| 2018-11-26 23:56 | 显示全部楼层
这个简单,建议:捣腾一个flash虚拟EEPROM算法比较实用!
| 2018-11-27 09:52 | 显示全部楼层
这个不错,免外挂EEPROM,又能保存一些掉电数据。
| 2018-11-27 14:25 | 显示全部楼层
代理分销STM32F103C8T6    ¥6.7元      联系0755-36992295
| 2018-11-27 22:03 | 显示全部楼层
分享不错   支持一下
| 2018-11-30 12:25 | 显示全部楼层
可以免挂EEPROM了?
| 2018-11-30 21:42 | 显示全部楼层
开源可贵,值得学习啊
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