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[STM32F1] STM32F103C8T6内部Flash存储实验

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mo_chen
 楼主 | 2018-11-18 10:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
前一段时间由于需要，特地测试了一下STM32内部Flash存储的的实验，查看了一些野火和正点原子的程序，感觉他们的读取数据都是32位的，所以自己亲测了8位和16位读读写，但是8位读写失败了。16位读写成功了。本次实验先在数组中存储一组数据，然后读取出来放到另一个数组中，串口打印输出。基本需要的都已经给了注释。大家需要的可以下载看看。开源共享，共同进步。

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观海
| 2018-11-19 16:55 | 显示全部楼层
太感谢了  居然是源码

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mo_chen
 楼主 | 2018-11-20 09:04 | 显示全部楼层
观海 发表于 2018-11-19 16:55
太感谢了  居然是源码

是的

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ruanhongyu
| 2018-11-20 10:08 | 显示全部楼层
手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

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mo_chen 2018-11-20 21:50 回复TA
库函数中有32位读和16位读，我调用了16位的度函数。 
mo_chen 2018-11-20 21:49 回复TA
这个没有注意呢 
hanzhen654
| 2018-11-20 16:21 | 显示全部楼层
开源精神可嘉，感谢分享

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hanzhen654
| 2018-11-20 16:21 | 显示全部楼层
ruanhongyu 发表于 2018-11-20 10:08
手册说只能读16位的。读32位应该是分两次读16位。

请问您参考是哪个手册？

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mo_chen 2018-11-20 21:51 回复TA
并没有手册特别说明，可能我没有注意到 
ruanhongyu
| 2018-11-20 17:12 | 显示全部楼层
F1系列的是《STM32F10xxx闪存编程》，F0系列的在参考手册（Reference manual）里。可以看看官方的基础例程。

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八层楼
| 2018-11-21 12:42 | 显示全部楼层
很有参考价值呀

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keaibukelian
| 2018-11-21 13:03 | 显示全部楼层
很好呀 感谢分享

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17765272232
| 2018-11-22 15:51 | 显示全部楼层
549884464165

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17765272232
| 2018-11-22 17:42 | 显示全部楼层
哇好棒好棒啊啊啊啊

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ahu9046
| 2018-11-26 09:38 | 显示全部楼层
不错顶一个

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Prry
| 2018-11-26 23:56 | 显示全部楼层
这个简单，建议：捣腾一个flash虚拟EEPROM算法比较实用！

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callhgd
| 2018-11-27 09:52 | 显示全部楼层
这个不错，免外挂EEPROM，又能保存一些掉电数据。

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MrDATESHEET
| 2018-11-27 14:25 | 显示全部楼层
提示: 该帖被管理员或版主屏蔽
zhangmangui
| 2018-11-27 22:03 | 显示全部楼层
分享不错   支持一下

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与时俱进
| 2018-11-30 12:25 | 显示全部楼层
可以免挂EEPROM了？

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一路向北lm
| 2018-11-30 21:42 | 显示全部楼层
开源可贵，值得学习啊

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linda_6000
| 2019-1-2 14:20 | 显示全部楼层
但是FLASH是有写次数的，应有倒蹬的程序就好了。

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mmuuss586
| 2019-1-3 10:07 | 显示全部楼层

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