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Nmos高速开关时候栅极电阻选择对mos开关时间的影响

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楼主: wanming2008
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wanming2008|  楼主 | 2018-12-14 11:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
冰镇肥宅水 发表于 2018-12-13 22:13
您的LM5134输出PWM方波导致电容充电电使得波形变形了吧,这个是我一个新手的看法,不对之处还望大家指教, ...

这个方波输出的时候,示波器测试正常的。但是经过那个电阻不正常了。那个300pF的电容是没有贴的。因为我看有人说贴电容可以加速。实际没效果所以没贴。只贴了电阻。

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xiaxingxing| | 2018-12-14 19:47 | 只看该作者
maychang 发表于 2018-12-3 15:03
“为啥好多地方写着100欧更合适呢?”
此处加入电阻,就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些,以 ...

前辈,您好!“此处加入电阻,就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些,以使MOS漏极电流对外部的干扰不要太大”  这样实现的原理是什么呢?(是三极管的话我还理解,因为增加电阻,可以减小基级电流,从而减小集电极电流,但是MOS管完全不是这个机理啊)

另外,我的理解是:增加栅极电阻,不是会减缓波形的上升和下降吗?

万分感谢!

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maychang| | 2018-12-14 19:52 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2018-12-14 19:47
前辈,您好!“此处加入电阻,就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些,以使MOS漏极电流对外部的干 ...

MOS管输入电容相当大(电原理图并不画出来),串入电阻,该电阻将使MOS管输入电容充电和放电都比没有电阻时缓慢一些(实际上就是一个一阶低通)。所以说,串入电阻后MOS管漏极电流上升下降会缓慢一些。

“我的理解是:增加栅极电阻,不是会减缓波形的上升和下降吗?”
这个理解完全正确。

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一无所知的一修| | 2018-12-27 21:32 | 只看该作者
你这开关速度要求太高了,5134Tdon都40ns了,Tdoff 25ns,估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定,尤其带载之后。
你这要求那么高,最小化系统之后确认,把MOS管去掉看看输出。从手册看你这输出应该是负脉冲,,怎么驱动Nmos ?
另外,mos驱动的G-S取驱动信号的相对电势,你现在的S和GND串个1K电阻干啥的。。。
纯粹小兵乱说。

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wanming2008|  楼主 | 2019-2-13 16:00 | 只看该作者
一无所知的一修 发表于 2018-12-27 21:32
你这开关速度要求太高了,5134Tdon都40ns了,Tdoff 25ns,估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定,尤其带载之 ...

是没啥用  我已经换了spdt 几乎2ns的速度就搞定了。mos方案我搞不定

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yueguang3048| | 2019-2-13 16:25 | 只看该作者
一无所知的一修 发表于 2018-12-27 21:32
你这开关速度要求太高了,5134Tdon都40ns了,Tdoff 25ns,估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定,尤其带载之 ...

感觉这电路也是醉了   NMOS当PMOS用
要求这么高的开关速度,5134也是擦边

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hk6108| | 2019-2-13 16:41 | 只看该作者
如果是图腾柱驱动,栅极下拉电阻可不要,但栅极完全不串电阻,可能会有振铃。

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