[开关电源]

MOSFET驱动电流

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tianxj01| | 2018-12-23 10:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 tianxj01 于 2018-12-23 10:25 编辑

你能注意到用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算,说明对MOS管已经入门了。
其实我们设计一个驱动和选择MOS时候,正常应该关心的是MOS管重要指标就是Qg而不是栅极电容。
根据I=Q/t,获得了具体MOS管Qg数据,和我们线路的电流能力,就可以获得ton=Qg/I。
比如2SK3192,它在VG=10V时候、VDD=100V Id=15A时候,Qg=95nC。很明显,如果我们用1A能力的芯片或者线路去驱动,我们可以获得最快95nS的开关速度(这里可以不需要算延迟时间,延迟只是时间轴上面平移,而不是斜率),由于一般来说,我们希望MOS管是慢开快关,所以,一般我们会用一个方向的4148,并联一个合适电阻,串联到驱动芯片--MOS管栅极。这样,当关断时候,驱动芯片直接通过4148到栅极,我们可以获得95nS的最快速度,而开启时候,驱动芯片通过串联的电阻到栅极,从而限制了驱动电流,实现慢开,通过调整该电阻,我们就可以获得需要的开启速度。

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Siderlee| | 2018-12-23 12:56 | 显示全部楼层
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-TLE987x_TLE986x-BDRV-AN-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a0167cbe1686a191d

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茫然闲|  楼主 | 2018-12-23 14:07 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2018-12-23 10:23
你能注意到用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算,说明对MOS管已经入门了。
其实我们设计一个驱 ...

谢谢你的回复,是根据自己想要多长时间的开关管开关速度(不需看datasheet的开题上升延迟时间)而决定驱动电流,您看我这个理解对吗?

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tianxj01| | 2018-12-23 16:08 | 显示全部楼层
茫然闲 发表于 2018-12-23 14:07
谢谢你的回复,是根据自己想要多长时间的开关管开关速度(不需看datasheet的开题上升延迟时间)而决定驱 ...

完全正确。

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茫然闲|  楼主 | 2018-12-23 16:48 | 显示全部楼层

谢谢

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茫然闲|  楼主 | 2018-12-27 21:17 | 显示全部楼层

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tianxj01| | 2018-12-28 10:35 | 显示全部楼层

你这里必须注意到这样一个条件细节,RG=25Ω。
所以这个指标没什么参考意义。

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茫然闲|  楼主 | 2018-12-28 14:30 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2018-12-28 10:35
你这里必须注意到这样一个条件细节,RG=25Ω。
所以这个指标没什么参考意义。 ...

好的,谢谢

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