[KF8F] KF8L写DATA EEPROM的步骤

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 楼主 | 2018-12-27 23:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
写 DATA EEPROM 时,一次最多写入一个地址,写入操作之前自动附加一个擦除操作, 擦除目标存储单元,然后写入新的数据。
写 DATA EEPROM 时,将要写入的地址送到 NVMADDRL,将要写入的数据送到NVMDATAL。之后通过执行以下操作完成写操作

以上指令中的立即数 0X04,0X00,0X69,0X96 是固定不变的。如果未完全按照上述顺序(先将 0X69 写入 NVMCTL1,再将 0X96 写入 NVMCTL1,最后置位 NVMCTL0.1)执行指令,将不会启动写操作。写周期完成时,EE 写完成中断标志位(EEIF)置 1,用户可以允许此中断或查询此位。EEIF 必须用软件清零。

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 楼主 | 2018-12-27 23:11 | 显示全部楼层
写 DATA EEPROM 的步骤:
1. 将要写入的数据送到 NVMDATAL;
2. 将对应的 DATA EEPROM 地址送到 NVMADDRL;
3. 执行上面的写命令,此时,CPU 发出擦除 DATA EEPROM 目标存储单元的命令,擦除完毕后,将 NVMDATAL 中的数据送到对应地址中。DATA EEPROM 需要 6ms 来执行擦除和写入数据的命令,此期间 CPU 仍可正常工作,
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