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[存储器] 数据没有被存储

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楼主: llljh
| 2019-1-26 19:57 | 显示全部楼层
从你的原理图上面看,WE和OE没有加上拉,请加上上拉。然后试试对SRAM的写入,再通过FPGA读出,确认数据已经被正确的写入到RAM里面。
 楼主 | 2019-1-26 20:01 | 显示全部楼层
可以的
| 2019-1-26 20:04 | 显示全部楼层
嗯,说明FPGA与NVSRAM之间的接口时序没有问题。然后再断电,测试FPGA读出的数据是否正确。
| 2019-1-26 20:06 | 显示全部楼层
如果WE和OE都是有FPGA控制,请主意对照数据手册上面的读写时序的要求。4Mbit的芯片,必须要使用68uF以上的电容,原来的47uF是肯定不行的。
| 2019-1-26 20:10 | 显示全部楼层
或者你用AN43593建议的 68 µF ± 10试一下。
| 2019-1-26 20:12 | 显示全部楼层
根据datasheet和应用笔记,WE还是应该上拉的
 楼主 | 2019-1-26 20:13 | 显示全部楼层

打算改了程序和仔细研究时序,从程序方面木有突破,等尝试了修改硬件后在汇报结果~
| 2019-1-26 20:15 | 显示全部楼层
期待楼主的结果
 楼主 | 2019-1-26 20:17 | 显示全部楼层
上拉的目的是什么呢 现在是不掉电写进去都读不出来
| 2019-1-26 20:19 | 显示全部楼层

Datasheet是这样写的:
A pull-up should be placed on WE to hold it inactive during power-up. This
pull-up is effective only if the WE signal is tristate during
power-up. Many MPUs tristate their controls on power-up. This
should be verified when using the pull-up. When the nvSRAM
comes out of power-on-RECALL, the MPU must be active or the
WE held inactive until the MPU comes out of reset.

就是说为了确保上电的时候WE不起作用。当nvSRAM power-on-RECALL时,直到MPU复位后WE才有效。
 楼主 | 2019-1-26 20:21 | 显示全部楼层
好,那先结贴了
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