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74系列D锁存器问题，请知道的人说一下

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jadetang|  楼主 | 2008-3-20 16:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
锁存器, 电平, TI, TE, After
手册上面有一个时间参数是tn，data hold time after LE为低。但是D锁存器是功能是在LE无效的时候输出Q是一直保持上一状态的，那就是说LE为低以后数据会一直保持，直到下一个LE的高电平来的时候，那这个tn的参数怎么理解呢？请有经验的人说一下。

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沙发
xieyongbin| | 2008-3-20 16:40 | 只看该作者

我的理解就是

LE由低到高的瞬间(上升沿)到实际锁存输出的时间

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板凳
computer00| | 2008-3-20 17:14 | 只看该作者

当你的LE变位低时，输入数据还要保持一段时间，才能锁进去

在这之前，输入数据不要变动。这个叫做保持时间。

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地板
JadeTang| | 2008-3-20 17:32 | 只看该作者

不是很同意圈圈的解释

AVR单片机对外部存储器就是要求要连接一个锁存芯片，因为低8位的地址线和8位的数据线是复用的，而对锁存芯片的要求是HCT系列不推荐，而是推荐AHCT,对于tn的要求是最少5ns,就是说这个参数越高越好咯。而楼上的解释，这个tn的是越低越好。好像矛盾了。

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5楼
computer00| | 2008-3-20 18:20 | 只看该作者

不信你可以去随便下载一个D触发器的数据手册来看看

数据手册里通常有个波形图，你可以看看那个th是什么意思。

另外纠正一下，那个不是tn，而是th，hold的第一个字母。

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6楼
liudewei| | 2008-3-20 18:57 | 只看该作者

锁存信号有效时，锁存信号有效时，输入数据还需要保持的

００回答是对的

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7楼
JadeTang| | 2008-3-20 21:00 | 只看该作者

TI的锁存器，AHCT,ACT，HCT由低级到高级是什么？

主要哪个参数提高了？请求告知。。

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8楼
JadeTang| | 2008-3-20 21:05 | 只看该作者

我的理解是。

ACT,AHCT,HCT的th的参数分别是0ns，3.5ns，10ns。从这个上面看，ACT>AHCT>HCT。
而51单片机手册上面的那句话“接口的设计出发点是保证 G 拉低之后地址信号保持时间最少为 th = 5 ns”应该是说这个5ns是对单片机的要求，而不是对锁存器的要求。所以ACT,AHCT均能满足要求。


不知道我这么想的是对的不？
谢谢00大大。
ORZ

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9楼
computer00| | 2008-3-20 22:30 | 只看该作者

是的。

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10楼
iC921| | 2008-3-20 22:55 | 只看该作者

简单一点：00说那段时间数据不要改变不妥，没有必要

那只是应用问题，不影响器件特性的本质，不提为好，或以此为前提（作为测试条件？）为好。

--------------------
LE生效后（变低），数据还要等待一段时间才能在输出端建立的时间。

总要有个先后嘛，不可能同时的。

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