新唐N76E003关于FLASH当eeprom重大问题

只看该作者 · 2019-4-24 08:10

qiangtech 发表于 2019-4-16 16:55
N76E003是用的FLASH 模拟的EEPROM，你存储的地址应该大于程序的长度。而且，官方例程中，在写FLASH的时候， ...

code少用这个我知道但是那个flash存储的函数绝对有问题官方的代码啊也不能用这算什么啊

只看该作者 · 2019-4-24 08:12

pigluffy 发表于 2019-4-20 00:58
我有想到一個可能性，就是你的code size已經超過eeprom的起始位址；

如你eeprom起始位置在0x3800，但是你 ...

没超啊这个写程序还是知道的 12K的代码地址也看过没超的用的是4700以后的地址存的

只看该作者 · 2019-4-24 08:59

尛舞icc 发表于 2019-4-24 08:04
void eeprom_write(UINT16 u16_addr,UINT8 u8_data)
{
UINT8 looptmp=0,u8_addrl_r;

看你代码，感觉有些问题的，我来说一下吧，
1、这个函数是按字节保存的，FLASH模拟E2PROM，不同于真正的E2PROM，不能按字节擦除，所以改写一个字节，也要擦除一页数据，这时就要在RAM中备份该页不需要改写的数据，然后再擦除整页，再将备份的数据以及要改写的字节写入到该页FLASH中。如果有多个数据需要改写，最好不要用这种按字节保存的函数，要自己写一个按块保存的函数，这样多个变量保存也只需要擦写一次，减少擦写次数。
2、你现在选的备份XRAM区域是0x80~0xFF，建议选到0x280~0x2FF，如果你定义XRAM变量很多，超过0x80，可能会导致程序异常。当然，如果你超过了0x280个XRAM区域变量，一样会有问题。要限定自己的XRAM区域的变量个数。
3、看一下数据手册，擦写FLASH的时候，需不需关中断，这个我有点忘了。

总之，要搞清楚原理，不要迷信官方例程，谁也不能保证没有问题。