[在线研讨会] MOS管+运放组成的恒流源问题,请高手指点

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 楼主 | 2019-5-14 18:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 libingliehuo 于 2019-5-14 18:20 编辑

QQ截图20190514181158.png
如上图,调节电位器, 使得V1处流过的电流为10A,稳定后,电流便慢慢下降了,本来是要做个恒流电路的,结果变成不恒流了,请大家指导一下有什么方法能让电流稳定在10A么,R5用的是锰铜丝(多个并联),流过电流的时候没什么发热。为什么基准很稳,电路变成不恒流了?

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| 2019-5-14 19:10 | 显示全部楼层
D极电位要大于G极电位即可。

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| 2019-5-15 16:51 | 显示全部楼层
我仿真了一下,应该是R4 0.1Ω的功率不够,仿真的时候烧断了,你点开电阻,设置参数,试试把功率改大

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 楼主 | 2019-5-15 18:53 | 显示全部楼层
wuyouyao123 发表于 2019-5-15 16:51
我仿真了一下,应该是R4 0.1Ω的功率不够,仿真的时候烧断了,你点开电阻,设置参数,试试把功率改大 ...

用的是 黄金壳电阻 100W的(实际功率才10W), 主要是电流慢慢的变小 ,采样那微微热,怎么就不恒流

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| 2019-5-15 20:59 | 显示全部楼层
采样电阻发热,电流肯定会慢慢下降,问题是下降多少啊?
你是想稳定在多少算稳定?9.9行不行?还是非要10.000A?

另外,你那个393也不是运放啊,是比较器。
还有,你那个R6为啥用10K呢?你的R1才用的2K,没道理越到后面电阻越大。

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| 2019-5-16 17:33 | 显示全部楼层
libingliehuo 发表于 2019-5-15 18:53
用的是 黄金壳电阻 100W的(实际功率才10W), 主要是电流慢慢的变小 ,采样那微微热,怎么就不恒流 ...

我按照你的电路图来仿真,没有问题哦

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| 2019-6-17 19:00 | 显示全部楼层
不知道问题解决没有?提供一下思路
mos温度升高会导致电流变小, 而且你这个电流还很大。节温肯定升高不少。
实际需要考虑mos的温飘。。。把mos扇热片加大或者加风扇吹   看看电流是不是会涨起来

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| 2019-6-19 08:54 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2019-5-14 19:10
D极电位要大于G极电位即可。

剖析下 啊 大师

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| 2019-6-19 09:32 | 显示全部楼层
8楼说的对!MOS发热量是电流的平方,摸MOS管温度!

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| 2019-6-19 12:06 | 显示全部楼层

电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

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zyj9490 2019-6-19 15:31 回复TA
@wh6ic ,,MOS的线性放大,三态的也不知道。看谁胡扯了, 
zyj9490 2019-6-19 15:14 回复TA
@wh6ic ,看下MOS的ID----VDS的三态图。 
wh6ic 2019-6-19 14:09 回复TA
胡扯 
| 2019-6-19 14:01 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

MOS也有饱和的说法吗? MOS不是没有电流放大作用吗

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| 2019-6-19 14:05 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗?

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因

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| 2019-6-19 15:11 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:01
MOS也有饱和的说法吗? MOS不是没有电流放大作用吗

MOS的包和跟BJT的包和有不同的概念,MOS的包和指的是ID不随VDS变化,只跟VGS有关,欠包和时,ID即跟VGS有关,也跟VDS有关。

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| 2019-6-19 15:12 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:01
MOS也有饱和的说法吗? MOS不是没有电流放大作用吗

回锅看下MOS的ID--VDS的图片,分几个状态。

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| 2019-6-19 15:20 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:05
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗?

2.我们注意到全桥驱动需要自 ...

现在谈的是线性恒流控制,必须让MOS管进入包和状态,此时ID电流不随VDS控制,只随VGS控制。

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| 2019-6-19 15:22 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:05
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗?

2.我们注意到全桥驱动需要自 ...

自举的电路目的,随VS电位提高而VG提高,保VGS一个开启的差值。

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| 2019-6-19 15:38 | 显示全部楼层

此电路无法稳流的就是MOS没有进入包和状态,(中间态,看基础书),实际上,只要取样电阻随温度不变化,MOS管在线性正常态,都能恒流的。因为进入大环路的负反馈。VTH太高,导致V1太小。

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| 2019-6-19 15:51 | 显示全部楼层
普及利用MOS做恒流电路的基本电路要求,要让MOS管处在包和区(态),如NMOS管,DG区产生平夹断点,即VD>VS,才会产生。

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| 2019-6-19 15:53 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

26425d09e8a58315d.png

1、上图是某 NMOS 的VDS vs Id, 图片上 Vds 低于 Vgs 就饱和了。
2、线性恒流源 7136 内部集成 MOS 恒流,对地压差可以低于50mV。

线性恒流,没有 必须 晶体管饱和。

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