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MOS管+运放组成的恒流源问题,请高手指点

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楼主: libingliehuo
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zyj9490| | 2019-6-19 16:00 | 显示全部楼层
本帖最后由 zyj9490 于 2019-6-19 16:02 编辑
wh6ic 发表于 2019-6-19 15:53
1、上图是某 NMOS 的VDS vs Id, 图片上 Vds 低于 Vgs 就饱和了。
2、线性恒流源 7136 内部集成 MOS 恒 ...

也许以前的观点有点问题,此主题的MOS管没有进入包和区,在DG区没有产生夹断点,因为VD电位不够高。导致环路失控。

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火星国务卿| | 2020-7-14 10:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 火星国务卿 于 2020-7-14 10:55 编辑
zyj9490 发表于 2019-6-19 15:51
普及利用MOS做恒流电路的基本电路要求,要让MOS管处在包和区(态),如NMOS管,DG区产生平夹断点,即VD>VS, ...

大哥 能不能给我解释一下这个MOS到底咋回事,我现在很混乱,用MOS恒流控制 是用的MOS的截止区跟饱和区吗?我看饱和区ID的电流是受VGS控制的,应该是VGS的函数,那为啥,电流又被采样电阻控制了呢,IDS电流到底是由谁决定呢

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zyj9490| | 2020-7-14 11:04 | 显示全部楼层
火星国务卿 发表于 2020-7-14 10:53
大哥 能不能给我解释一下这个MOS到底咋回事,我现在很混乱,用MOS恒流控制 是用的MOS的截止区跟饱和区吗? ...

分二个层次来说,在开环状态下,ID电流在包和状态下,主要受VGS控制,在闭环下,VGS 本身是闭环中的一个可控参数,采样电压也是一个闭环参数。因此采样电阻的电压大小受采样电阻决定。

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火星国务卿| | 2020-7-14 11:14 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2019-6-19 15:51
普及利用MOS做恒流电路的基本电路要求,要让MOS管处在包和区(态),如NMOS管,DG区产生平夹断点,即VD>VS, ...

大哥 能不能讲解一下MOS的恒流控制的原理,我现在很不理解

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火星国务卿| | 2020-7-14 11:23 | 显示全部楼层
zyj9490 发表于 2020-7-14 11:04
分二个层次来说,在开环状态下,ID电流在包和状态下,主要受VGS控制,在闭环下,VGS 本身是闭环中的一个 ...

那恒定的电流值是通过哪个点来设定的呢 ,是保证采样电阻上的电压恒定来保证恒流吗

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zyj9490| | 2020-7-14 11:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 zyj9490 于 2020-7-14 12:04 编辑
火星国务卿 发表于 2020-7-14 11:23
那恒定的电流值是通过哪个点来设定的呢 ,是保证采样电阻上的电压恒定来保证恒流吗 ...

参考电压,反馈环路明白的话,不难理解决定电流的那个设定参数啊,VREF=V+  V-=ID*RSENSE,闭环(环路工作正常),V+=V-.

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autooy| | 2020-7-30 10:32 | 显示全部楼层
1.你的LM393换成OP07这样的带宽更大的运放吧;2.取消运放输出端上拉电阻(没有必要);3.将采样电阻采用高端采集电流或者下面采集的电流采用运放放大;实现恒流源是没有问题的;

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