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[电路/定理]

MOS管作电源控制电路分析

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楼主: 906286309
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21楼
906286309|  楼主 | 2019-5-23 12:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
tianxj01 发表于 2019-5-23 09:11
看看你的MOS管驱动回路，上升过程是100K的串联阻值，所以，哪怕这么慢的上升沿（看你示波器mS/格）米勒效应 ...

感谢大佬的回复，又学到了！

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22楼
906286309|  楼主 | 2019-5-23 12:51 | 只看该作者
lfc315 发表于 2019-5-23 11:03
我觉得有个可能性的因素是电压上升到1V多的时候，后面电路有些单元开始工作，工作电流突然增大造成的 ...

您说的这种可能性我可以再试试，把电源后端模块断开再测试下，感谢大神的回复！

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23楼
零点飞越| | 2019-5-24 20:50 | 只看该作者
驱动电阻改小一点,正常米勒点调到中部以上靠近顶部最佳.

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24楼
xiaxingxing| | 2019-5-24 21:15 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-5-23 08:38
你的驱动电路输出阻抗中总有一些电感成份，例如从Q1集电极到Q5、Q10门极联接线就存在电感。另外，地线上 ...

"或者由于MOS管输入电容的突然增加而使门极电压跌落。"  是由于U=Q/C， 在Q不变的情况下，C增加，导致U减小的原因吗？谢谢！

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25楼
maychang| | 2019-5-24 21:18 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2019-5-24 21:15
"或者由于MOS管输入电容的突然增加而使门极电压跌落。"  是由于U=Q/C， 在Q不变的情况下，C增加，导致U减 ...

是这个意思。

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26楼
戈卫东| | 2019-5-24 21:19 | 只看该作者
。。。。

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27楼
戈卫东| | 2019-5-25 08:08 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-5-24 23:56
您也不讲话了。別怕不会禁你言丶刪你帖。输出端电容到底会削減或增強了米勒效应，需要您的判断。 ...

这个问题，其实真没有米勒效应什么事。。。

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28楼
戈卫东| | 2019-5-25 08:09 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-5-24 23:56
您也不讲话了。別怕不会禁你言丶刪你帖。输出端电容到底会削減或增強了米勒效应，需要您的判断。 ...

大佬也会犯错的。问题是大佬可能不好意思承认自己犯错。

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29楼
戈卫东| | 2019-5-25 08:12 | 只看该作者
作为米勒效应特征的电压平台，是出现在VGS曲线上的，VDS曲线是没有这个平台的。
而楼主的曲线是VDS曲线，所以跟米勒效应没什么关系。

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戈卫东 2019-5-25 10:01 回复TA
@maychang ：对应VGS平台，VDS应该有一条斜线，但前面已经有了斜率更大的斜线，所以后面小斜率的的斜线并不是。 
maychang 2019-5-25 09:14 回复TA
当驱动源具有一定内阻，VDS曲线上就会发现这个平台。 
30楼
frgrg| | 2019-5-25 09:56 | 只看该作者
顶顶

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31楼
tianxj01| | 2019-5-25 10:07 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2019-5-25 08:12
作为米勒效应特征的电压平台，是出现在VGS曲线上的，VDS曲线是没有这个平台的。
而楼主的曲线是VDS曲线，所 ...

没有米勒效应，就不可能出现VDS中间打折，当米勒效应出现而栅极驱动电阻很高的时候，就可以发现这个打折或者说斜率明显改变，所以，这还是要怪米勒同学的，没有他就没有这个波形了。

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32楼
最底层的BUG| | 2019-5-25 10:17 | 只看该作者
同上

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33楼
maychang| | 2019-5-25 10:30 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2019-5-25 08:12
作为米勒效应特征的电压平台，是出现在VGS曲线上的，VDS曲线是没有这个平台的。
而楼主的曲线是VDS曲线，所 ...


这是典型的MOS管门极充电时门极电压对门极充电电量曲线，可以明显看到“米勒平台”。在曲线接近水平的那段，门极对源极电压随充电电量的变化很缓慢。

这是MOS管输出特性曲线，门极电压为参变量。
门极对源极电压在“米勒平台”段上升缓慢，显然MOS管漏极电流也上升缓慢。在漏极接有负载情况下，“米勒平台”这段时间里面，漏极对源极电压上升当然也缓慢。
这就是MOS管漏极对源极电压变化也会出现平台的原因。

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34楼
fzyuan| | 2019-5-25 13:38 | 只看该作者
lfc315 发表于 2019-5-23 11:03
我觉得有个可能性的因素是电压上升到1V多的时候，后面电路有些单元开始工作，工作电流突然增大造成的 ...

最靠谱的答案。

如果“3V3_MOS_CPU”上没有很大的电容，或者说“3V3_MOS_CPU”上的电容远小于“3V3”上的电容，或者“3V3”足够强，
那么楼主可以尝试减小C138和R104的值，这个RC通常是用来减缓负载电容充电的浪涌电流的，以防止Q5快速导通导致“3V3”的电压被瞬间拉底。
电源上升速度太慢不一定是好事。

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35楼
hensonman| | 2019-5-29 09:12 | 只看该作者
906286309 发表于 2019-5-23 12:51
您说的这种可能性我可以再试试，把电源后端模块断开再测试下，感谢大神的回复！ ...

楼主有没有做一下测试，验证一下这种可能，，要不要让米勒背锅，我们很关注呀

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36楼
xiaxingxing| | 2019-5-30 22:13 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-5-24 23:51
你把Cgs和Cgd电容画上。一上电后这两个电容已经充电(未必充饱)，当G丶S极施加驱动源，D丶S达到导通时的Cg ...

好的，我研究研究，感谢king哥。。。

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37楼
lfc315| | 2019-5-31 10:22 | 只看该作者
楼主，你下面没了？

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38楼
blade55| | 2019-6-1 09:06 | 只看该作者
两端一起看

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blade55 2019-6-1 09:35 回复TA
你不能只看输出端，还要看输入端的电压。 
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