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修正波逆变器干扰导致MOS温度飙升

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Jade888|  楼主 | 2019-5-30 09:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位前辈,目前我在做一个230V的修正波逆变器,发现了一个问题,只要是带上适配器,MOS就发烫,适配器是空载,MOS温度一直飙升,在检测波形发现两个下管的GS波形在1的时候会有下降的一段时间,大概几个ms,上管的GS在0的时候会有个对应的上升波形,如果负载接的是灯泡,那就没有这些问题,想请教一下各位前辈这个问题有啥好解决方案,谢谢各位!

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沙发
Jade888|  楼主 | 2019-5-30 09:48 | 只看该作者
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tianxj01| | 2019-6-1 09:45 | 只看该作者

不知道你的功率输出级供电是多少,反正这样的全桥,你用这么大阻抗的线路驱动,而且不带死区,没炸算你走运,至于空载不热,带感性负载、容性负载、适配器啥的,发烧纯属应该。
好好去看看人家逆变全桥是怎么驱动的。推翻现在的线路,重新来过吧,这个线路改无可改,没有任何讨论意义。
用那种浮栅半桥驱动芯片,自带死区的,单极性输入,就可以直接驱动你桥臂的2个管子,2个驱动芯片搞定。当然,基础扎实的,用晶体管达也不是不可以,4端带死区单片机驱动,自举上臂加晶体管电平位移+低阻抗匹配等等,不过就你会用这个线路,感情这样的手段是不合适的。

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地板
tianxj01| | 2019-6-2 08:23 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-6-1 18:34
的确,如楼上所言,驱动用的电阻都太大了,这个仿真是可以验证的。NTC干嘛用的,不会妨礙出力吗!若要保险宜 ...

关键是他不带死区,一个管子输入驱动下臂,反相后直接驱动上臂,哪怕功率级VCC非常低,因为NPN管的饱和延迟(不饱和也有啊),共通是绝对无法避免的。

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enchi| | 2019-6-10 23:17 | 只看该作者
我们都是单片机加TLP250光耦驱动,上图这种驱动方式真没见过,我们驱动电阻一般也才100R

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tianxj01| | 2019-6-11 08:18 | 只看该作者
enchi 发表于 2019-6-10 23:17
我们都是单片机加TLP250光耦驱动,上图这种驱动方式真没见过,我们驱动电阻一般也才100R ...

楼猪发了个帖子,直接就人间蒸发了。
别去管了,又一个做事没头没脑的家伙。

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