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stm32——Flash读写

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operating|  楼主 | 2019-6-18 10:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
一、Flash简介
  通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。
  stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程;在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写;支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作。对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防**方案。并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地。
  stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据,信息块用于负责由stm32出厂时放置2KB的启动程序(BootLoader)和512B的用户配置信息区。
  主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同,系统存储器的不同,分为小容量、中容量、大容量、互联型,共四类产品。
  • 小容量产品:主存储块1-32KB,     每页1KB。系统存储器2KB
  • 中容量产品:主存储块64-128KB,   每页1KB。系统存储器2KB
  • 大容量产品:主存储块256KB以上,  每页2KB。系统存储器2KB
  • 互联型产品:主存储块256KB以上,  每页2KB。系统存储器18KB
  对于具体一个产品属于哪类,可以查数据手册,或根据以下简单的规则进行区分:
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品,根据其主存储块容量,一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种,STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
  对Flash的写入操作要遵循“先擦除后写入”的原则。
  stm32的内置Flash编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以32位字或16位半字宽度数据为单位,允许跨页写;写入非字或半字长数据时将导致stm32内部总线错误。

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沙发
operating|  楼主 | 2019-6-18 10:28 | 只看该作者
二、程序实现

flash.h
#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H
#include "stm32f10x.h"
u8 Write_Flash(u32 *buff, u8 len);
void Read_Flash(u32 *buff, u8 len);
void Char_To_Int(unsigned char *buffer, unsigned int *data,unsigned int position);
void Int_To_Char(unsigned char * buffer, unsigned int data,unsigned int position);
#endif


flash.c
#include "flash.h"
#include "stm32f10x_it.h"
#define WriteFlashAddress    ((u32)0x08010000)//读写起始地址(内部flash的主存储块地址从0x08000000开始)

/*******************************************************************************
* 函数名:Write_Flash
*描述    :写STM32指定地址的Flash
*输入    :buff:写入数据缓冲区,len:写入数据长度
*输出    :无
*返回值    :u8:写成功返回1,失败返回0
*说明    :无
*******************************************************************************/
u8 Write_Flash(u32 *buff, u8 len)
{   
    volatile FLASH_Status FLASHStatus;
    u8 k=0;
    u32 Address;

    Address = WriteFlashAddress;
    FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
    FLASH_Unlock();//解锁
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除所有标志
    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WriteFlashAddress);//扇区擦除
    if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
    {
        for(k=0;(k<len) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE);k++)
        {
            FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, buff[k]);//写入一个字(32位)的数据入指定地址
            Address = Address + 4;//地址偏移4个字节
        }        
        FLASH_Lock();//重新上锁,防止误写入
    }
    else
    {
        return 0;
    }
    if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
    {
        return 1;
    }
    return 0;
}

/*******************************************************************************
* 函数名:Read_Flash
*描述    :读STM32指定地址的Flash
*输入    :buff:读出数据缓冲区,len:读出数据长度
*输出    :无
*返回值    :无
*说明    :无
*******************************************************************************/
void Read_Flash(u32 *buff, u8 len)
{
    u8 k;
    u32 Address;
   
    Address = WriteFlashAddress;
    for(k=0;k<len;k++)
    {
        buff[k] =  (*(vu32*) Address);//读指定地址的一个字的数据
        Address += 4;//地址偏移4个字节        
    }
}

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板凳
operating|  楼主 | 2019-6-18 10:29 | 只看该作者
main.c
int main(void)
{   
  
    u32 in_data[5]={11,22,33,44,55};//要写入的数据
    u32 out_data[5];//读存放
    int i;
    u8 STATUS=0;
        USART1_Config();//串口1配置
    GPIO_Configuration();//GPIO配置,用于点亮led
    STATUS=Write_Flash(in_data,5);
    Delay(0x02FFFF);
    if(STATUS)
    {
            GPIO_SetBits(GPIOD, GPIO_Pin_13);//点亮led1
            Read_Flash(out_data,5);
            printf("\r\n The Five Data Is : \r\n");
            for(i=0;i<5;i++)
            {
                    printf("\r %d \r",out_data[i]);
            }
    }
    while(1);
}

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地板
keaibukelian| | 2019-7-8 11:28 | 只看该作者
感谢楼主分享啊

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5
labasi| | 2019-7-8 11:31 | 只看该作者

非常感谢楼主分享

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6
paotangsan| | 2019-7-8 11:34 | 只看该作者

非常感谢楼主分享

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7
zlf1208| | 2020-9-8 09:48 | 只看该作者
谢谢

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8
玛尼玛尼哄| | 2020-9-8 19:36 | 只看该作者
分享的内容可以啊。

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9
TeryM| | 2020-9-10 09:09 | 只看该作者
在博主基础上加点图文描述https://blog.csdn.net/qq_40147893/article/details/107423621

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