1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不...

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 楼主 | 2019-6-19 14:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗?

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因


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| 2019-6-19 14:27 | 显示全部楼层
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧,正因为导通后VS接近VCC,所以,栅极必须在VCC基础上浮起来,上浮个12-15V,就可以确保MOS正确导通,这就是我们通常说的浮栅驱动,栅极供电是通过自举浮动起来的。这同时也回答了你的问题2.

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 楼主 | 2019-6-19 15:06 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧,正因为导通后VS接近VCC,所以,栅极必须在VCC基础上浮起来,上浮个12-15V ...

上臂必须是NMOS吧  用PMSO耐压也不够啊  

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 楼主 | 2019-6-19 15:08 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧,正因为导通后VS接近VCC,所以,栅极必须在VCC基础上浮起来,上浮个12-15V ...

NMOS放在低端  是不需要自举的啊  

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| 2019-6-19 15:16 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 15:08
NMOS放在低端  是不需要自举的啊

放在低端怎么会大呢

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 楼主 | 2019-6-19 16:13 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧,正因为导通后VS接近VCC,所以,栅极必须在VCC基础上浮起来,上浮个12-15V ...

要是把NMOS放上端 是否可行啊  
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| 2019-6-19 16:22 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:13
要是把NMOS放上端 是否可行啊

nmos要用自举或BJT提升电路驱动,或用PMOS控制,用BJT提升,中压糸统。如100V的负载电源还是用NMOS加自举电路来得成熟。

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| 2019-6-19 16:28 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:13
要是把NMOS放上端 是否可行啊

当然可行,你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥,而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的,大部分也都是采用全N MOS架构,单独驱动的大功率H桥线路也罢,更是。
当采用了N MOS作为上臂开关,则或者是自己做的分立元件自举悬浮上臂驱动,或者是直接采用成品浮栅驱动芯片做,原理都是通过PWM输出过程的电平变化,将上臂栅极驱动电压自举一个固定值。
这类芯片比比皆是哈。国产做H桥驱动的也很成熟了,你可以去看看屹晶微电子官网,里面有很多高低电压的浮栅驱动芯片说明书,做的很友好,都是中国字。

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 楼主 | 2019-6-19 16:32 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 16:28
当然可行,你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥,而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的,大部分 ...

恩  屹晶微  用过他们家的移动电源芯片 不错

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 楼主 | 2019-6-19 16:34 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 16:28
当然可行,你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥,而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的,大部分 ...

你的意思是小功率采用上臂PMOS  下臂用nmos  而大功率则用全NMOS的方式?
小功率为何不全采用NMOS

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| 2019-6-19 16:39 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:34
你的意思是小功率采用上臂PMOS  下臂用nmos  而大功率则用全NMOS的方式?
小功率为何不全采用NMOS ...

小功率的,采用P+N,不需要自举了,驱动可以简化,所以,实际做起来,线路比较简洁,用起来也简单。所以在一些小功率集成H桥芯片上面也经常采用。
但是PMOS管固有的,栅极电荷大,导通电阻大的问题,在大功率使用时,矛盾就比较突出了,而当功率更大时候,甚至你只能采购到N MOS管了。所以,大功率H桥,无一例外都采用了浮栅驱动,用全NMOS构成。
同样的,大功率的逆变,则更明确,由于基本上没P结构的IGBT,则都必须采用浮栅驱动的单极性IGBT来构成半桥或者全桥系统。

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 楼主 | 2019-6-19 16:43 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧,正因为导通后VS接近VCC,所以,栅极必须在VCC基础上浮起来,上浮个12-15V ...

延伸一个三极管的问题。三极管饱和导通,需要发射结正偏,集电结正偏,也就是VB>VC   VB>VE  可是导通后VB>VC   VB>VE不存在的啊  如何维持导通???

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 楼主 | 2019-6-19 16:44 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 16:39
小功率的,采用P+N,不需要自举了,驱动可以简化,所以,实际做起来,线路比较简洁,用起来也简单。所以 ...

NMOS的工艺会不会比PMOS的工艺简单  而PMOS的耐压一般都很低

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| 2019-6-19 16:47 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:43
延伸一个三极管的问题。三极管饱和导通,需要发射结正偏,集电结正偏,也就是VB>VC   VB>VE  可是导通 ...

一般意义上的饱和导通,VCE通常小于VBE,但也不是绝对,大电流饱和导通,VCE很容易超过VBE的,正常啊,完全可以维持饱和导通的。

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 楼主 | 2019-6-19 16:47 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 16:39
小功率的,采用P+N,不需要自举了,驱动可以简化,所以,实际做起来,线路比较简洁,用起来也简单。所以 ...

小功率的,采用P+N,不需要自举了------放P管在上端  导通条件是VGS<0还是<VTh呢  ?

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| 2019-6-19 16:49 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:44
NMOS的工艺会不会比PMOS的工艺简单  而PMOS的耐压一般都很低

工艺上面,Nmos的材料成熟,P的就差多了,当然,成本也就这样表现出来了,而且,真像你表述的那样,P材料耐压比N材料耐压差多了。所以很少见高压大功率的PMOS管。

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 楼主 | 2019-6-19 16:50 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-19 16:47
一般意义上的饱和导通,VCE通常小于VBE,但也不是绝对,大电流饱和导通,VCE很容易超过VBE的,正常啊,完 ...

导通条件是VB>VC        VB>VE。   可是导通后 VB会<VC啊!!!

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| 2019-6-19 16:53 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:47
小功率的,采用P+N,不需要自举了------放P管在上端  导通条件是VGS<0还是<VTh呢  ? ...

PMOS工作时候,开启的VGS是负压,且大于参数里面开启电压,就可以实现导通。
P管在上端,当电压不超过P管栅极最大电压时候,就可以直接将栅极拉到GND让P管导通,当电压超过P管栅极最高耐压时候,则必须对栅极进行电压限制,让下拉的驱动电压限制在P管栅极电压的安全值范围。

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| 2019-6-19 16:57 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:50
导通条件是VB>VC        VB>VE。   可是导通后 VB会<VC啊!!!

饱和的意义是,不管基极再怎么驱动,其Vce不会再降低,这才是饱和的物理意义,而不是什么VB VE VC的关系。
他们的所谓关系,只是可以观察到的一种表现,而非本质,而且,饱和条件  Vc是可以大于Vb的。所以你上面的说法也并不准确。

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| 2019-6-19 17:10 | 显示全部楼层
上面回答的已经很好了,自举的意义就是要把G电压高于S,这里面有一个问题就是如果电容不够大,在电机控制的时候是会导致PWM后半段不正常输出的

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