1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不...

1万 · 2019-6-19 17:20

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:57
饱和的意义是，不管基极再怎么驱动，其Vce不会再降低，这才是饱和的物理意义，而不是什么VB VE VC的关系 ...

现在教材的定义有点乱，对MOS管来说，欠包和，包和，击穿区三个状态，对BJT来说，也有三个区，包和区，放大区，击穿区。对新手来说，有点混乱。

只看该作者 · 2019-6-19 17:37

zyj9490 发表于 2019-6-19 17:20
现在教材的定义有点乱，对MOS管来说，欠包和，包和，击穿区三个状态，对BJT来说，也有三个区，包和区，放 ...

不是乱，是很乱。
饱和没事去扯什么VB VE VC条件干嘛？这不是瞎折腾嘛。
说清楚物理意义，讲明白原因，才是正事，瞧把楼主这样的新手折腾的这一番，估计是越学越糊涂。

只看该作者 · 2019-6-19 18:34

都回答了

只看该作者 · 2019-6-20 14:49

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:53
PMOS工作时候，开启的VGS是负压，且大于参数里面开启电压，就可以实现导通。
P管在上端，当电压不超过P管 ...

加一个稳压管可行不

只看该作者 · 2019-6-20 14:52

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:57
饱和的意义是，不管基极再怎么驱动，其Vce不会再降低，这才是饱和的物理意义，而不是什么VB VE VC的关系 ...

可能被我说的有点蒙了。。。。饱和导通的条件是VB＞VC VB＞VE 而饱和导通之后VB很可能小于VC啊此时饱和导通的条件岂不是就推翻了

只看该作者 · 2019-6-20 15:18

QWE4562009 发表于 2019-6-20 14:52
可能被我说的有点蒙了。。。。饱和导通的条件是VB＞VC VB＞VE 而饱和导通之后VB很可能小于VC啊此 ...

不是被你说蒙了，而是你看的书有问题，饱和的物理意义我上面已经说了，不再重复，你看的东西里面只能说是表述了一个现象，很多时间，饱和情况下，Vb＞Ve Vb＞Vc，但这却不是绝对的，当然，所谓饱和的条件也不是上面这个乱七八糟的公式。三极管是电流控制型器件，所谓饱和，就是哪怕基极电流再增加，管子工作电流也不会再增加，而Vce也不再受控制这样的情形。理由很简单，在基极驱动足够的条件下，而Vce到很低时候，由材料和多数载流子密度造成的，到电流超过某个值，就会有对应的一个Vce存在，不再受基极电流增大而降低(事实上，再增加基极驱动，Vce还是可以有所降低，只是很有限而已)。这就是饱和电压，而对应特定器件，一系列的电流就会存在一系列的饱和电压，当该电流比较大时候，完全可以超过Vb。

只看该作者 · 2019-6-20 16:44

tianxj01 发表于 2019-6-20 15:18
不是被你说蒙了，而是你看的书有问题，饱和的物理意义我上面已经说了，不再重复，你看的东西里面只能说是 ...

其实疑问就很简单导通之后 VB＜VC 就不是正向偏置了对于NPN来说我的意思

只看该作者 · 2019-6-22 10:45

看了大家的议论，我觉得大家对电路方面的一些概念了解不夠，特别是电位和电位的参考点，这对电路分析非常重要，就NMOS电路来说，导通的基本条件是G电位高于S电位，S是电位参考点，就桥式电路而言，下管的S是接0电位的和驱动电路是共用的，所以只要G电位高于S就能确保NMOS导通，上管就不同了，S点的电位是不固定的，NMOS管截止时，S点的电位是0，NMOS导通时S点的电位是电源电压，要确保G点高于S点电位，驱动电源就必须同步升高，实现这功能的电路就是自举电路。打个比方：有个杯子相当于S放在地上，有把茶壶相当于G,用管子与杯子相连，要给杯子加水，只需茶壶高于杯子就行，如果在参水时将杯子移到桌子上，要想继续给杯子加水就必须将茶壶提高才行。至于常用小功率桥式电路为什么上管会用PMOS,这个原因实际很简单，常用小功率电路供电电源和驱动电源都是同一电源供电，如果用NMOS，要驱动上管导通，驱动电压就必须高于电源电压，除了自举，别无它法。所以只能用PMOS用负电压驱动‘。

只看该作者 · 2019-6-22 10:48

看了大家的议论，我觉得大家对电路方面的一些概念了解不夠，特别是电位和电位的参考点，这对电路分析非常重要，就NMOS电路来说，导通的基本条件是G电位高于S电位，S是电位参考点，就桥式电路而言，下管的S是接0电位的和驱动电路是共用的，所以只要G电位高于S就能确保NMOS导通，上管就不同了，S点的电位是不固定的，NMOS管截止时，S点的电位是0，NMOS导通时S点的电位是电源电压，要确保G点高于S点电位，驱动电源就必须同步升高，实现这功能的电路就是自举电路。打个比方：有个杯子相当于S放在地上，有把茶壶相当于G,用管子与杯子相连，要给杯子加水，只需茶壶高于杯子就行，如果在参水时将杯子移到桌子上，要想继续给杯子加水就必须将茶壶提高才行。至于常用小功率桥式电路为什么上管会用PMOS,这个原因实际很简单，常用小功率电路供电电源和驱动电源都是同一电源供电，如果用NMOS，要驱动上管导通，驱动电压就必须高于电源电压，除了自举，别无它法。所以只能用PMOS用负电压驱动‘。

只看该作者 · 2019-6-23 09:54

太牛电子发表于 2019-6-22 10:48
看了大家的议论，我觉得大家对电路方面的一些概念了解不夠，特别是电位和电位的参考点，这对电路分析非常重 ...

说的比较形象这个问题是得到了解决了。不过三极管那个导通还是没理解透彻！饱和的条件是VB＞VC，VB＞VE 可是导通之后 VC完全有可能大于VB 这样一来岂不是把导通的条件推翻了？还是说这个条件是瞬间的保持导通不需要这个条件？

只看该作者 · 2019-6-23 17:08

QWE4562009 发表于 2019-6-23 09:54
说的比较形象这个问题是得到了解决了。不过三极管那个导通还是没理解透彻！饱和的条件是VB＞VC，VB＞V ...

三极管导通包含两种不同的工作状态，就是放大状态和饱和状态，多看些三极管的输入、输出特性方面的书吧

只看该作者 · 2019-6-24 08:43

太牛电子发表于 2019-6-23 17:08
三极管导通包含两种不同的工作状态，就是放大状态和饱和状态，多看些三极管的输入、输出特性方面的书吧
...

现在只说饱和不要扯放大放大的条件都不一样

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不...

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