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关于三极管的疑问

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楼主: liumangyang
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liumangyang|  楼主 | 2019-7-18 11:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
xukun978 发表于 2019-7-18 09:30
解铃还须系铃人,不知道结论是什么意思,就看推导过程!
如下图所示,这是【共基】等效电路的漏电流表示 ...

谢谢前辈,这个推导就很清楚了,alpha这个参数已经很少有人提起了。

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xukun978| | 2019-7-18 11:33 | 只看该作者
liumangyang 发表于 2019-7-18 11:02
谢谢前辈,这个推导就很清楚了,alpha这个参数已经很少有人提起了。

这个不是很少有人提的事,而是你局限于大二的模电教材导致的。

定量分析有源电路,分析精确度取决于所用有源器件的模型精度,而大二模电对三极管介绍的太少了,很多人光知道个简化版的混合pi模型,而且错误的乱套乱用这个模型,甚至错误的因为IC=beta*IB,就说它本质上是流控器件,MOS是压控器件,这是片面的。


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pjy| | 2019-7-18 11:42 | 只看该作者
诚恳!发射结正偏,发射区的多数载流子扩散到基区,身份转变为基区的少数载流子,但是高浓度。集电结反偏,基区的高浓度少数载流子漂移到集电区,身份恢复为集电区的多数载流子......至于模电常用语“放大”,其实叫做“线性比例”更恰当一些。

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liumangyang|  楼主 | 2019-7-18 12:02 | 只看该作者
xukun978 发表于 2019-7-18 11:33
这个不是很少有人提的事,而是你局限于大二的模电教材导致的。

定量分析有源电路,分析精确度取决于所用 ...

所言极是,惭愧啊,看书太少。

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HWM| | 2019-7-18 12:20 | 只看该作者
liumangyang 发表于 2019-7-18 12:02
所言极是,惭愧啊,看书太少。


你看那个模型,不就是

“Iceo”可视为对基区的一种电流输入(以NPN论)

而“Iceo”则为基极开路的ce电流,虽然基极开路,但存在有cb的漏电流(Icbo)。所以若将“Icbo”等效为“基极电流”,那么就有...


α和β的关系不是其本质。

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HWM| | 2019-7-18 12:27 | 只看该作者
关于器件模型,在此有必要强调一点:

《模拟电路》中为了得到期望的器件模型需要对相关器件加上适当的偏置。加入偏置后,器件(含偏置)等效为一个电源,而偏置电路本身就含电源。这种需要电源偏置才能得到相关特性(譬如电压源)的器件通常可被称为有源器件,其含义是:1)需要电源偏置,2)通常等效模型中含电源


摘自:https://bbs.21ic.com/icview-2538450-1-1.html

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HWM| | 2019-7-18 12:36 | 只看该作者
此外,还要补充说明的是:

器件模型器件原理不是一码事。器件原理是器件的物理原理,其基于相关的器件物理学。就算是前面的“演义”说法,虽然其不是真正严谨的器件原理,但多少还是与“原理”沾点边。

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liumangyang|  楼主 | 2019-7-18 14:37 | 只看该作者
HWM 发表于 2019-7-18 12:27
关于器件模型,在此有必要强调一点:

HWM前辈,我还没有完全看完你的帖子已经感受到这个帖子的分量了。境界和理解深入真的已经超过模拟电路书籍了。后来再去看了一眼您的其它帖子,真的佩服。后续一定会仔细拜读您在论坛里的有深度的帖子,努力提升自己是专业水准。非常感谢!

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Lgz2006| | 2019-7-19 07:59 | 只看该作者
liumangyang 发表于 2019-7-18 09:41
这个图我有两点疑问:
1:下面的公式应该有个错误是左边应该是ICEO吧
2:图上解释是否和楼上HWM前辈的想 ...

“基极开路的情况下Icbo = Ib吗?这个疑问点怎么解释说明呢?”
我那个文字虽然有严重错误,但图形特异就是解释你这个问题的。
看你对另外东西感兴趣,就不多说了。
你现在是理解问题,悟性不足。

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