关于大功率MOS应用的一些问题

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weilj123|  楼主 | 2008-6-16 11:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
我查了一些关于VMOS手册(IRF540),有如下问题需要大家帮忙解释一下,
  1,Id:@Tc=25℃    33MAX  是指身壳在25℃时,Id=33MAX。
     Id:@Tc=100℃    23MAX  是指身壳在100℃时,Id=23MAX。
     Pd:@Tc=25℃     130W  每加1℃功率将降0。87W。
     上面应该是这个意思吧,我的问题是我要带20A的电流,我需要如何加散热片。加多大,有没有什么公式还是有没有经验。
  2,VDSS:100MAX  IDSS=25--250UA,VGS=±20V,其中当VGS大于VTN(一般是2--4V)。手册上是这样说明的,但是我在网上也经常看到一般在VMOS前加一个三极管,且三极管输出端上拉电压在9V,这样做是为了什么,我可以直接用MCU(TTL电平)来驱动VGS,也就是说不用9V,而是5V,换个方式来问就是VGS是5V和9V时有什么区别,是不是VGS偏压越大,带的负载也就越大,VGS会影响IDMAX吗,(在相同的温度下)。
  3,GFS:是指什么?是越大越好还是越小越好?

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maychang| | 2008-6-16 11:29 | 显示全部楼层

1、不知道你的管子功率耗散有多大,没法说用多大散热器。
2、“是不是VGS偏压越大,带的负载也就越大”,当然不是。

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weilj123|  楼主 | 2008-6-16 11:51 | 显示全部楼层

增加问题

早期MOS以及大电流/高压MOS的开启电压较高,新一代的低压/小电流MOS管的VGS低一些。具体看厂家的datesheet上的VGS曲线。
IRF830是早期的高压mos,VGS自然比较高;IRF620就可以低一些。
在较大电流应用时,也需要加大的Vgs,主要原因是VMOS导通是从点到面的,若Vgs过小,就仅仅实现点导通,会烧毁VMOS的。
新一代的低压低阻VMOS一般在5~10V就可以获得很好的效果。

建议:在可能的情况下,尽可能提高实际Vgs,尽可能接近VMOS给出的Vgs最大值(决不能超过),这样才能获得最佳效果。
以上是a12345678在以前的BBS里面找到的一段话,但我也还有一个问题,我的系统供电是24V,用了一个LM2576降到5V给系统供电,而IRF540是VGS=±20V,意思也就是我用12V的电压做效果可能会很好,这样做我不是还需要一个转换成9/12V的电路,有没有什么好的方法。我直接用5V驱动是不是会像a12345678前辈说的一样会烧毁VMOS的。

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maychang| | 2008-6-16 12:05 | 显示全部楼层

用5V驱动倒不一定烧管子

楼主应该看到GS之间是个电容,且由于米勒效应视在的电容比输入电容还要大得多。假定4V导通,那么在4V左右实际上拉电压只有1V,是1V电压给这个电容充电,必然充电时间较长,管子达到完全导通需要较长时间。这对高频开关工作非常不利,增加开关损耗。如果用9V电源电压则导通时有5V电压对该电容充电,速度要快得多,有利于减少开关损耗。

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