快速二极管参数的测量!

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 楼主 | 2019-8-9 18:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 xukun977 于 2019-8-9 19:03 编辑

半导体公司IR的设计手册中,给了个测试二极管参数的电路,见下图:


480835d4d5013a166a.png



这个电路是如何测量二极管的各个参数的?

测量脉冲见下图:


908375d4d5197e7b67.png


982875d4d52f543c24.png


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| 2019-8-9 19:12 | 显示全部楼层
不错。那要如何扣掉MOS管的SR和结电容的误差。

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 楼主 | 2019-8-9 19:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2019-8-9 19:57 编辑

手册上语焉不详,就说这个能测;
像我们这样的【理论家】,球都不懂,连猜加蒙吧!

直接用矩形脉冲控制MOS管的导通,那么VDS约为0,所以电感两端电压是VR=200V,电感中电流以斜率VR/L=200/70( V/uH)这个斜率乘以t1就是IF,就是二极管的正向电流。
时间t1以后,管子断开,测试待测试的二极管电路正式上场。其中两个参数di+/dt和VFM是相关的,控制好前者才好测量后者。

t1--t2,二极管处于稳态,电压为VF,电流为IFt2-t3,又过来个脉冲,目的是在正偏二极管电路上施加个反向电压VR,让二极管电流反转,好测试di-/dt



这个测量电路最关键的难题是:测量两个关键参数df/dt,测不准,也不容易测。因为对于快速二极管,这两个参数都是好几百A/us
二来最要命的是这些参数相互牵扯,容易扯皮!


从信号发生器直接输出脉冲驱动MOS管不靠谱,应该加一个驱动控制器。
开关电源书上有这个电路:
361475d4d57add98fb.png






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| 2019-8-9 23:52 | 显示全部楼层
沒关糸,代表着实际的特性比测试的结论还要优秀,当作余量了。

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 楼主 | 2019-8-10 13:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2019-8-10 13:51 编辑


这个电路实验,大约要50元。



mc33153   3元

光耦1N136  2元

AD8041   15元

IRG4PC50UD   20元


IRFP460;   6元



打版测试估计是100元。
做个上位机软件,有点商用价值(trr=10--500ns,IF=1--40A,VR=100---400V,di/dt=50--800A/us),估计是xxxxxx元!



算了,还是当理论家,比较省。

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Nivans 2019-8-10 14:50 回复TA
上位机很难学,尤其是VC,要是有傻瓜版就好了。 
| 2019-8-10 16:01 | 显示全部楼层
PCB打样现在只要5块。。。。如果你不经常做板的话。

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| 2019-8-10 23:08 | 显示全部楼层
哎  双脉冲测试

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| 2019-8-11 13:42 | 显示全部楼层
我很想知道,那个L只用来干嘛的。

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| 2019-8-11 14:01 | 显示全部楼层
Nivans 发表于 2019-8-11 13:42
我很想知道,那个L只用来干嘛的。

通过调节脉冲宽度,就可以设定正向电流。

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| 2019-8-11 14:03 | 显示全部楼层
简单的用一个MOS管的开关控制,就可以测得几乎全部开关参数。

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| 2019-8-12 20:43 | 显示全部楼层
双脉冲测试,TrrQrr,一般需要VDD/IF/DIDT做条件,你这描述里缺少IF/DIDT条件,另外检流电阻效果不知道怎么样,一般都是用2878来测IF的。快速恢复DIDT应该很高,电路设计差了,测不到。

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