为了提高发射机的功率，本系统选择IGBT大功率器件。因为电子电路的信
号微弱，常常不能控制IGBT的导通与截止，因此需要设计专门的驱动电路。驱
动电路决定着IGBT开关时间的长短及损耗的大小。它的设计会对系统的性能产
生很大的影响。因所选的IGBT属于电力电子型器件，对于驱动电路要采取一定
的保护措施。
驱动电路主要任务是将信号放大，然后将其加在IGBT控制端和公共端之间，
使其轮流导通与截止。在进行驱动电路的设计时，要注意一下几点:
(1) IGBT管的栅极耐压值为20V，在IGBT管加超出耐压值的电压，会损坏
IGBT。
(2)要选择合适的栅极电阻Ro R影响着IGBT的动态性能，在选择上尽量
使R小一些。当R变小时，IGBT的开关时间变快，栅极电容放电也会加快，从
而使开关损耗降低。但R太小，会发生短路现象，导致IGBT误导通或栅极电路
产生振荡。电路中R一般选择几欧姆到几十欧姆。
(3) IGBT的保护。研究者一般采用电隔离和缓冲吸收方式来保护IGBT，使
得IGBT在出现短路的情况下，在允许的时间范围内关断电压，达到保护IGBT
的目的。
(4)电路设计中，应正确的布线。驱动电路选择粗导线与IGBT连接，且越
粗越好;驱动电路与GATE级的距离越短越好。
针对IGBT这种大功率管，本设计选用光祸隔离的驱动方式。驱动芯片选用
IR2110, IR2110是中小功率变换装置中的首种品牌，具有光祸隔离体积小和电
磁隔离体积快的优点。IR2110具有独立的低端和高端通道，自举悬浮电路，它
的高端工作电压能达到_SOOV，输出的栅极驱动电压范围为10}-20V，逻辑电源
电压范围为5}-15V o IR2110能匹配TTL, COMS电平，工作频率可达_SOOkhz,
响应快。驱动电路如下图4-3所示。
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