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NE555DR和NE555D有什么区别吗?NE555DR IC参数NE555DR和NE555D有区别吗?

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xunavc|  楼主 | 2019-8-15 14:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
  根据官方文档,性能、封装上没有区别,只有在包装上的区别而已 。
  NE555集成块与NE555D、NE555N集成块的内部结构基本相同,它们的作用一样.
  NE7555是CMOS器件,NE555是双极型器件.双极型器件的耐压范围较宽.
  n.jpg
  产品型号:NE555DR,工作电压(v):4.5~16,输出电流(ma):±200,定时范围:10μs~hours,最大工作频率(khz):500,功耗(mw):1000封装/温度(℃):8soic/0~70,描述:通用定时器NE555时基电路,为电压比较器和R-S基本触发器的混成电路,可方便地构成单稳态(延时、定时)电路、双稳态(开关)电路及无稳态(振荡)电路。其构成电路之简便和应用之广,素有“万能电路”之称。
  NE555DR www.dzsc.com/ic-detail/9_14944.html特点描述
  制造商: Texas Instruments
  产品种类: Timers & Support Products
  类型: Standard
  封装 / 箱体: SOIC-8
  内部定时器数量: Single
  电源电压(最大值): 16 V
  电源电压(最小值): 4.5 V
  最大工作温度: + 70 C
  最小工作温度: 0 C
  封装: Reel
1.jpg
  图NE555时基电路原理框图及引脚功能
  如上图所示,R1、R2、R3对供电Vcc分压,使N1比较器基准端(同相输入端)电压为1/3Vcc,N2基准端(反相输入端)电压为2/3Vcc。芯片5脚为调整端,接入上拉或下拉电阻时,可改变两个基准端电压的高低。两路比较器的输出端与R-S触发器的置位和复位相接,从而决定芯片3脚输出端的电平状态。当芯片2脚(/TR端)输入信号电压低于1/3Vcc时,N1输出端为“0”,R-S触发器被置位,芯片3脚变高电平,(在复位信号未输入之前)并保持;当芯片6脚输入电压高于2/3Vcc时,N2输出端为“1”,R-S触发器被复位(在置位信号未输入之前)并保持。芯片4为优先复位端(低电平有效),不用时可接Vcc。显然,作为开关电路应用时,只要控制芯片2脚电压低于1/3Vcc,电路处于“开”态(3脚为“1”);控制芯片6脚高于2/3Vcc,电路即处于“关”态(3脚为“0”),即为开关(双稳态)电路。


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szzw2004| | 2020-1-8 18:09 | 显示全部楼层
后缀只是封装外形和包装不同的区别。NE555和NE7555不只是工艺区别还有应用环境温度范围区别。

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