使用特权
R2D2 发表于 2019-8-23 16:55 R79上面得电流大到让R79的压降超过0.7V,V10就导通了。
chunyang 发表于 2019-8-27 11:48 负载电流主要甚至是全部流过R79的。随着流过R79的电流增加,R79两端的电压亦增加,而V10的发射结电压就是R7 ...
625242387 发表于 2019-8-29 10:52 NMOS是VGS为高导通的,V10不导通时G级电压时稳压管的电压,导通后就分流降压了,电流过大了 VGS等于-0.7V ...
我可是个宝宝 发表于 2019-8-27 14:05 嗯嗯,很小的那一部分电流就是IB吧,V10导通为什么会导致V3 G级电压降低,没看太明白。 ...
chunyang 发表于 2019-9-9 20:08 如果R79上的压降不足以使V10导通,那么就没有Ib。至于为什么V10导通会降低V3栅极电位,把V10的CE极在导通 ...
lfc315 发表于 2021-8-19 17:13 2年咯 楼主还没想明白么
lfc315 发表于 2021-8-20 10:17 你的误区在:“MOS管GS电压差应该永远都是Vz=6.2V” 是最大只能是6.2V,不是永远都是6.2V。 ...
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