一种简易测试晶体管击穿电压的方法

只看该作者 · 2019-10-13 08:59

无需图示仪，无需高压电源，就可以无损测试晶体管击穿电压。

L1=100uH、R1=50R、VCC=5V，Q1=IRFL014NTRPBF，实测波形如下：

只看该作者 · 2019-10-13 10:07

本帖最后由 tianxj01 于 2019-10-13 10:10 编辑

通过电感储能，MOS截止导致电感能量开始谐振上升，并最后由被测量管子的VDS承受，这本身就是一种测量耐压的方法，当适当选择电感电流，控制电感储能值，理所当然的我们可以在某种规格的管子安全功耗内进行测试。不过这方法和供电电压也是有直接关系的，由于被测量管子固有等效关闭条件下的C ds，而电感能量必须是合理值，所以，其测量波形的前沿其实就是一个谐振半波。该半波是由L、 L的分布电容、Cds共同决定。和输入电压比，这只是几个倍率关系，按照你这个波形来估计，你可以把这个前沿按照半波正弦波形状描绘下去，可以发现，最高电压大概也只能冲到现在这个平顶的2.5倍这样，再高则没有了。
根据你测量的管子耐压55V左右，也就是120V的管子你还能看到一个很短的平顶，再高耐压的管子，你只能看见一个半波和后面不断的振铃了。所以想测量更高耐压的管子就不行了。
而且当你测量的管子电流更大，则等效Cds也会非常大，这个谐振的峰值下降会非常快。甚至直接就过不了你现在看见的值。所以，想测量更多规格的管子就需要你大幅度调整限流参数等等不一。

只看该作者 · 2019-10-13 10:26

好方法，谢谢分享。

只看该作者 · 2019-10-13 11:05

tianxj01 发表于 2019-10-13 10:07
通过电感储能，MOS截止导致电感能量开始谐振上升，并最后由被测量管子的VDS承受，这本身就是一种测量耐压的 ...

嗯，这个方法是我调试flyback次级开路工况下无意中发现的。兄弟很专业，又学到了不少东西。

一种简易测试晶体管击穿电压的方法

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