产品用的是两节干电池，电压3.2V，为了防止电池接反，用...

只看该作者 · 2019-12-7 17:06

产品用的是两节干电池，电压3.2V，为了防止电池接反，用了MOS。仿真的效果来看，只能用N管！而不能用P管，P管在接反的时候依然有输出，输出是负电压。这个对后级的电路有什么影响？

1万 · 2019-12-7 17:29

如果后面电路没有外接的接口，不存在共GND问题，两种都可以；
否则要用P管。

只看该作者 · 2019-12-7 17:35

P管是可以用的，只是你仿真时候，方向用错了而已。
同样的，P管在这里用必须是源极接负载端，漏极接电池端。这样，正接时候，内部体二极管导通，然后源极电位提升，MOS管导通，而反接，则内部寄生二极管截止，GS等于同电位，截止。

1万 · 2019-12-7 19:10

电池输入端反向并联一个二极管即可

只看该作者 · 2019-12-8 00:19

搞得太复杂。你在电池盒的正极触点那里的模具，搞凹进去就可以了，装反了自然接触不上。

只看该作者 · 2019-12-9 09:43

本帖最后由 whtwhtw 于 2019-12-9 10:09 编辑

板凳楼层说的对，你用P管，DS方向用反了。你目前的用法反接电池，mos管还有体二极管能导通，不能防反接

只看该作者 · 2019-12-9 10:26

反接。。。。。。。。。

正接。。。。。。。。。。

1万 · 2019-12-9 14:15

只看该作者 · 2019-12-9 22:06

ptc+二极管吧

只看该作者 · 2019-12-10 14:05

qq986433936 发表于 2019-12-8 00:19
搞得太复杂。你在电池盒的正极触点那里的模具，搞凹进去就可以了，装反了自然接触不上。 ...

这个方法也是可以的就是结构不想改想电子改电路哈哈

只看该作者 · 2019-12-10 14:07

tianxj01 发表于 2019-12-7 17:35
P管是可以用的，只是你仿真时候，方向用错了而已。
同样的，P管在这里用必须是源极接负载端，漏极接电池端 ...

你好天玺兄，这样一来---关键是P管的体二极管方向是D指向S，也就是说如果用D接输入 S接输出那就起不到开关的作用了因为二极管方向和电流方向一致了（二图中现在是S接输入）

也就是正接的时候是有0.4-0.7二极管压降的吧

只看该作者 · 2019-12-10 14:08

tianxj01 发表于 2019-12-7 17:35
P管是可以用的，只是你仿真时候，方向用错了而已。
同样的，P管在这里用必须是源极接负载端，漏极接电池端 ...

你好天玺兄，这样一来---关键是P管的体二极管方向是D指向S，也就是说如果用D接输入 S接输出那就起不到开关的作用了因为二极管方向和电流方向一致了（二图中现在是S接输入）

也就是正接的时候是有0.4-0.7二极管压降的吧

只看该作者 · 2019-12-10 14:08

cjseng 发表于 2019-12-7 19:10
电池输入端反向并联一个二极管即可

这个也是可以的不过需要加一个PTC

只看该作者 · 2019-12-10 14:10

lfc315 发表于 2019-12-7 17:29
如果后面电路没有外接的接口，不存在共GND问题，两种都可以；
否则要用P管。 ...

要共地

只看该作者 · 2019-12-10 14:14

xmar 发表于 2019-12-9 14:15

这么看的话，不管是用P和N，都必须S接负载端？

只看该作者 · 2019-12-10 14:14

tianxj01 发表于 2019-12-7 17:35
P管是可以用的，只是你仿真时候，方向用错了而已。
同样的，P管在这里用必须是源极接负载端，漏极接电池端 ...

这么看的话，不管是用P和N，都必须S接负载端？

只看该作者 · 2019-12-10 14:55

QWE4562009 发表于 2019-12-10 14:08
你好天玺兄，这样一来---关键是P管的体二极管方向是D指向S，也就是说如果用D接输入 S接输出那就起不 ...

防反接和电源开关本来就是2个过程，需要实现这个功能，至少需要2个MOS管。
防反接是利用MOS管反特性（第3象限）先是体二极管正向导通，然后栅极在外电路驱动下面，管子导通，这时候，已经不是体二极管导通电压而是MOS导通电阻了，和一般简单二极管防反接有本质区别。
开关则利用的是MOS管正特性（第一象限），所以，不可以用一个MOS来实现开关同时防反接。

只看该作者 · 2019-12-10 14:59

QWE4562009 发表于 2019-12-10 14:14
这么看的话，不管是用P和N，都必须S接负载端？

防反接，你可以串联在负端，也可以串联在正端，由于一般我们采用输出电压自举栅极工作为最简单。因此，用做防反接的MOS，在上端的可以用P，在下端的可以用N。而DS到底怎么接，你看内部寄生二极管方向就成。也就是寄生二极管在结对情况下，应该是导通，这线路做防反接就对了。
而开关用MOS同样可以串联在GND或者VCC，和防反接正相反，做开关的管子内部寄生二极管，正常工作必须截止，只有MOS被驱动，才能导通，这样才可能实现开关作用。

只看该作者 · 2019-12-11 15:52

tianxj01 发表于 2019-12-10 14:59
防反接，你可以串联在负端，也可以串联在正端，由于一般我们采用输出电压自举栅极工作为最简单。因此，用 ...

我总结了下不管P和N S接负载就对了

只看该作者 · 2019-12-11 20:35

不能用P管，应该有地方弄错了；实际上要尽量避免用P管，因为硅电子比空穴迁移率高得多，因此同规格N管比P管性能明显要高

产品用的是两节干电池，电压3.2V，为了防止电池接反，用...

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