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FLASH写入问题

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jiajs|  楼主 | 2019-12-13 19:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
比如FLASH的某个地址已经写成FFF0,不擦除,这个地址再次写入FF00,那么结果到底是哪个呢?多谢各位。

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dengdc| | 2019-12-13 19:51 | 显示全部楼层

FF00
由于 FLASH 的写入机制相对于是对0写入, 对1忽略, 所以其结果为   原来的值 & 写入的值

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heweibig| | 2019-12-13 19:55 | 显示全部楼层

为什么要别人试呢?你自己不能试一下?

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jiahy| | 2019-12-13 19:57 | 显示全部楼层
写flash不是应该先擦除的吗

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shimx| | 2019-12-13 20:00 | 显示全部楼层
不擦除,能写成功么?可以试试铁电的存储器。

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jiaxw| | 2019-12-13 20:02 | 显示全部楼层

对于Flash的某一位,编程就是置0,擦除就是置1.

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spark周| | 2019-12-13 20:06 | 显示全部楼层


如果它本来就是1,那么擦不擦除其实无所谓,直接编程(置0)是没问题的。

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liliang9554| | 2019-12-13 20:11 | 显示全部楼层
如果它是0,那么没办法,只能把它擦除来变成1.

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liliang9554| | 2019-12-13 20:13 | 显示全部楼层
所以,能不能不擦除就写入,关键是看你想写入什么值。

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zhaoxqi| | 2019-12-13 20:16 | 显示全部楼层
1写成0可以不擦

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jiajs|  楼主 | 2019-12-13 20:18 | 显示全部楼层
确定吗?那为什么我这里测试的结果是FFF0呢,难道我使用的擦写函数有问题?

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zhanghqi| | 2019-12-13 20:24 | 显示全部楼层
写入的值是第一次FFF0,第二次是FF00,你觉得结果应该什么呢?

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jiajs|  楼主 | 2019-12-13 20:27 | 显示全部楼层
我这里让工程师测试的结果是FFF0,但我认为应该是FF00才是正确的,不知道是否我这里的擦写函数有问题,所以才让大家帮忙验证一下。

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jiajs|  楼主 | 2019-12-13 20:32 | 显示全部楼层
我的理论依据是1写成0不用擦除,所以想试试不擦除能否写成功。

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zhaoxqi| | 2019-12-13 20:34 | 显示全部楼层
你知道擦除的话,那就是FFFF,如果写的话,那就是写0操作。

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jlyuan| | 2019-12-13 20:37 | 显示全部楼层
确定, 估计你的写操作没有成功

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午夜粪车| | 2019-12-13 20:39 | 显示全部楼层
都不看手册吗,只有原来的flash内容是0xff才允许写入,否则直接编程错误,当然唯一的例外是如果写入值是0,则是允许写入的

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zhanghqi| | 2019-12-13 20:42 | 显示全部楼层
同意楼上的,我一直以为是可以任意写入的呢,学习了。

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dengdc| | 2019-12-13 20:46 | 显示全部楼层
这个地址再次写入FF00,那么结果到底是,换算成二进制对比一下,看看咋回事,两次只要一次为1的是就是1

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jiajs|  楼主 | 2019-12-13 20:49 | 显示全部楼层
那回头让工程师再仔细检查一下程序。我的结论也是很你一样的,但我们工程师实际测试的结果竟然不符合FLASH的原理

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