关于与非门SN74LS00的使用，小白求救！！！

只看该作者 · 2019-12-25 18:51

Redbeannnnnn 发表于 2019-12-25 16:58
真心的谢谢您这么认真的解答。看了您的回复，我也大致理解了为什么datasheet里有两张表Electrical charact ...

最基本的，要清楚电流的流向，光耦的输出电流是从3.3到地的，门电路的电流基本不用考虑，一般认为是高阻，就算有，也相对于别的电流可以忽略，光耦的输出电流是有后端的电源，电阻和输入电流共同决定的，类似三极管ce电流，你这个电路需要考虑的就是两点1.只有一个光耦导通的时候，确保光耦在开关状态，ce压降在0.3v以下，可靠低电平输出。2.门电路74ls00用于5v系统的，你这个是3.3v系统，需要更换。另外多说一句，光耦就可以理解成输入输出隔离了的三极管，三极管总应该会分析了。

只看该作者 · 2019-12-25 18:56

xiaxingxing 发表于 2019-12-25 17:22
“按照可靠饱和算4倍，则实际电流选择1mA”这句话有点不理解，能具体解释一下吗？ ...

三极管工作在放大和饱和状态的输入和输出电流关系会判断吗，光耦的工作状态判断和三极管是一样的，放大倍数和电流传输比其实就是一个意思

只看该作者 · 2019-12-25 22:40

yhf311 发表于 2019-12-25 18:51
最基本的，要清楚电流的流向，光耦的输出电流是从3.3到地的，门电路的电流基本不用考虑，一般认为是高阻 ...

哦哦，原来门电路的输入电流可以不考虑的，我一直在纠结门电路的输入电流。另外，您说的这个3.3V电源的问题，我的电路只是光耦输出这里用的3.3V上拉，SN74LS00部分的供电是5V电压供电的，请问这样可以吗？需不需要更换芯片啊？我第一次自己选型做电路，太多东西不会分析了- -

只看该作者 · 2019-12-26 08:53

Redbeannnnnn 发表于 2019-12-25 22:40
哦哦，原来门电路的输入电流可以不考虑的，我一直在纠结门电路的输入电流。另外，您说的这个3.3V电源的问 ...

3.3v的电平对于5v供电的74ls00来说，不是可靠的高电平，规格书上描述了，可靠高电平输入典型值是3.4v，所以最好不要这么用，一般原则就是输入信号电平范围和供电电压范围一致，前面已经有人给出替换型号建议了，仔细看看

只看该作者 · 2019-12-26 09:23

yhf311 发表于 2019-12-26 08:53
3.3v的电平对于5v供电的74ls00来说，不是可靠的高电平，规格书上描述了，可靠高电平输入典型值是3.4v，所 ...

您好，我看了74LS00的规格书，貌似没有找到您说的“可靠高电平输入典型值3.4V”这个参数，我下的数据手册里，高电平输入只有最小值要求（2V），高电平输出的典型值倒是3.4V。您看看是不是我哪里又理解错了。

只看该作者 · 2019-12-26 09:37

yhf311 发表于 2019-12-25 18:56
三极管工作在放大和饱和状态的输入和输出电流关系会判断吗，光耦的工作状态判断和三极管是一样的，放大倍 ...

嗯，会的，我一般结合电流Ic，负载电阻Rc上的压降和Vce来判断。

只看该作者 · 2019-12-26 09:50

Redbeannnnnn 发表于 2019-12-26 09:23
您好，我看了74LS00的规格书，貌似没有找到您说的“可靠高电平输入典型值3.4V”这个参数，我下的数据手册 ...

不好意思，昨天没有仔细看，是规格书里面的VIH这个参数，规格书上面描述的是最小2V，其实有意义的是最大值，但是规格书没有给出来。所以比较可靠的方法是，确保高电平输入和电源电压接近。两种方法，提高输入电压，或者更改芯片的电源电压（更换3.3V供电的与非门）。

1万 · 2019-12-26 09:54

Redbeannnnnn 发表于 2019-12-26 09:23
您好，我看了74LS00的规格书，貌似没有找到您说的“可靠高电平输入典型值3.4V”这个参数，我下的数据手册 ...

74ls00双输入与非门，没找到原理图。
最后翻了下其他74ls三输入与非门。
的确不用上拉电阻。

只看该作者 · 2019-12-26 16:59

本帖最后由 xiaxingxing 于 2019-12-26 17:01 编辑

tianxj01 发表于 2019-12-25 09:35
你这里4个光耦是并联的，也就是意味着任何一个光耦导通，则输出低电平，和能流过多少电流没有什么关系， ...

“负载电流小，只不过各管子饱和程度大一点而已” ？？？
不是集电极电流IC越大，越容易饱和吗？，集电极发射极两端电压Vce=VCC-RC*IC，IC越大，Vce越小，所以就越容易饱和呀。。。是这样理解不？谢谢！

只看该作者 · 2019-12-26 17:12

xiaxingxing 发表于 2019-12-26 16:59
“负载电流小，只不过各管子饱和程度大一点而已” ？？？
不是集电极电流IC越大，越容易饱和吗 ...

首先集电极电流IC越大，越容易饱和是个错误观点或者说错误描述。
实际电流越小，而基极电流越大，则饱和程度越高。
这里对应到光耦，则输入电流越大，而输出端实际电流越小，则饱和程度越高。
你好像始终没弄清楚一个概念，管子可以流过的电流=hfe*Ib,换成光耦则=传输比*输入电流，和实际工作电流不是一个概念，实际流过的电流由于有负载电阻的存在，可能远小于实际流过的电流。
只有一个是可以明确的，那就是管子可以留过（注意只是可以而不是实际）的最大电流是由管子本身和驱动决定的。

只看该作者 · 2019-12-26 22:13

tianxj01 发表于 2019-12-26 17:12
首先集电极电流IC越大，越容易饱和是个错误观点或者说错误描述。
实际电流越小，而基极电流越大，则饱和 ...

这回理解了，解释的非常到位。我确实把管子可以流过的电流当实际的电流了。

关于与非门SN74LS00的使用，小白求救！！！

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