小白虚心请教

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1004320602|  楼主 | 2021-5-4 21:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 1004320602 于 2021-5-8 21:37 编辑

微信图片_20210504211828.png 360截图20210508213727338.jpg 请教下 各位 师傅,想请问下 图中的 的 可控硅 门极 电阻 是怎样 计算 阻值的?和AD按键检测电路的 电阻阻值应该怎样 选择 正确的阻值 根据什么来选择。,查了很久的资料 好像 都没个正确的说法,。所以在这想虚心请教下大家。

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1004320602|  楼主 | 2021-5-4 21:26 | 显示全部楼层
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1004320602|  楼主 | 2021-5-4 21:27 | 显示全部楼层

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1004320602|  楼主 | 2021-5-4 21:29 | 显示全部楼层
有人讲解下吗?

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王栋春| | 2021-5-4 22:16 | 显示全部楼层
恐怕同其维持导通电流有关,楼主结合元件手册推算一下。

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1004320602 2021-5-5 21:44 回复TA
不懂啊! 
mcu5i51| | 2021-5-5 08:41 | 显示全部楼层
先得到可靠触发电流,根据触发电压计算,要有余量,

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1004320602 2021-5-5 21:45 回复TA
能详细 讲解下吗? 
zlf1208| | 2021-5-5 11:28 | 显示全部楼层
根据触发电流计算的,不同型号的可控硅触发电流不同,所以阻值不同,理论上可控硅在触发导通以后触发端可以悬空的

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1004320602|  楼主 | 2021-5-5 21:43 | 显示全部楼层
还有人详细讲解下吗?

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玄德| | 2021-5-6 11:31 | 显示全部楼层

要详细讲,又要画图又要写说明。很费时间的。

网上找下可控硅的原理,先看单向可控硅,
重点看应用部分。
搞清楚触发电压、触发电流的物理意义,
很快就能明白怎么设计。

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玄德 2021-5-7 11:42 回复TA
@1004320602 :唉,还要怎么说。。。。你按我说的做了吗? 
1004320602 2021-5-6 21:45 回复TA
能举例说明下么。。。? 
wanwenhao1| | 2021-5-6 13:08 | 显示全部楼层
根据可控硅的触发电压高低和触发电流大小,你的触发信号的电压高低三个参数,就可以算出电阻的大小。选择时,应该留有一定的设计余量,即:触发电流要确保大于(2倍以上))可控硅需要的触发电流。

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wanwenhao1 2021-5-9 21:22 回复TA
@1004320602 : IGT=6A ,VGT=1.5V,触发信号12V,你并没有告诉IGT需要的触发电流,这里假设为10mA. 触发信号减去VGT=12-1.5=10.5V,触发电流设为2倍于需要的触发电流,则I=0.02A,则基本电阻R=10.5/0.02=525Ω。考虑标准电阻的阻值,可选用330/390/470等欧姆的电阻。 
1004320602 2021-5-8 21:35 回复TA
@1004320602 :求解R=? 
1004320602 2021-5-8 21:34 回复TA
@wanwenhao1 : IGT=6A ,VGT=1.5V,触发信号12V (#^.^#) 
wanwenhao1 2021-5-7 17:18 回复TA
@1004320602 :你给出可控硅的触发电压、触发电流、你的触发信号的电压高低三个参数的具体数据,我就可以帮你计算了。 
1004320602 2021-5-6 21:45 回复TA
能举个例子吗?(#^.^#) 
Siderlee| | 2021-5-16 14:33 | 显示全部楼层
https://www.st.com/resource/en/application_note/cd00266635-noninsulated-scr--triac-control-circuits-stmicroelectronics.pdf

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chunyang| | 2021-5-31 23:23 | 显示全部楼层
可控硅门极限流电阻根据可控硅器件手册中所载的触发电流用欧姆定律计算,注意适当留取余量。

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chunyang| | 2021-5-31 23:29 | 显示全部楼层
利用ADC实现单IO多按键的办法,只要串联电阻的每个节点的分压值以线性单调变化即可,这可以列个方程用欧姆定律计算。该方程是个不定方程,总阻值不是常数,通过选择适当的总阻值(可选数十K欧量级),使每只电阻的取值落在标准系列附近即可,分压值可以不用很精确,ADC可分辨并留有足够步进间隙。

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