稳压管补偿

1万 · 2021-7-9 17:05

*)，稳压管的输出电压随工作电流而波动，用另一支稳压管做电流补偿，当电源Vcc波动∆V，由于两个稳压管的齐纳电压改变很小，通过右管电流Iz=(Vz’-Vz)/Rz变动很小，Vz波动极小。而左管的电流Iz’=(Vcc+∆V)/Ri-Iz=Vcc/Ri+∆V/Ri-Iz，电源电压变动引起的电流改变∆V/Ri全都通过左管，实现电流补偿。

以下仿真，当Vcc从16V变动10V至6V，变动电流∆I=∆V/Ri=10mA，几乎都通过左管∆Iz’=10.32-0.488=9.8mA。稳压变动∆%=(2.964-2.963)/2.964=0.04%。

1万 · 2021-7-9 20:00

*)，半导体的最大问题就是温度，如果深入了解温度对半导体器件参数的影响，就可以变害为利。温度改变，稳压管电流同向改变，压降逆向改变造成稳压波动。利用二极管与之相同的特性做温度补偿。当温度上升，二极管的Is电流随之增大，加到右管则压降上升，补偿其因温度上升减少的电压，保持Vz稳定。

以下仿真，温度上升120℃，除了Vcc=16V，-20℃电路(∆=0.6%)外，其他电路Vz几乎不变。

1万 · 2021-7-9 22:35

captzs 发表于 2021-7-9 20:00
*)，半导体的最大问题就是温度，如果深入了解温度对半导体器件参数的影响，就可以变害为利。温度改变，稳压 ...

SB330 和0.6k电阻是何意？用那种封装在一起的两稳压二极管更好，不过现在基本是都用带隙基准源了，搞复杂了实用性不大。

1万 · 2021-7-10 09:08

本帖最后由 captzs 于 2021-7-10 09:11 编辑

captzs 发表于 2021-7-9 20:00
*)，半导体的最大问题就是温度，如果深入了解温度对半导体器件参数的影响，就可以变害为利。温度改变，稳压 ...

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1万 · 2021-7-10 14:53

captzs 发表于 2021-7-10 09:08
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*)，稳压管的反向饱和电流参数Is

稳压管标称齐纳电压是默认温度27℃时对应齐纳电流的，并非任何温度都如此，以反向饱和电流Is判别。参考值，当Is>1e-11A，温度上升几十度齐纳电流激增，齐纳电压急降，严重时造成雪崩击穿。BZX84-B系列稳压管的Is=1e-9A，当温度上升到80度，齐纳电流激增，压降仅仅0.几V，两个管的工作就异常。而BZX55C系列的Is=2.5e-16，齐纳电流平稳增加，工作就正常。选择稳压管要考虑Is参数以保证热稳定性。

1万 · 2021-7-10 20:28

captzs 发表于 2021-7-10 14:53
*)，稳压管的反向饱和电流参数Is稳压管标称齐纳电压是默认温度27℃时对应齐纳电流的，并非任何温度都如此 ...

*)，稳压管与三极管E结温度补偿有何不同
虽然两者都是温度上升，压降变小。但是稳压管工作加反压，E结加正压，后者可以用PN结伏安特性表达式计算Vbe。而温度补偿，稳压管是增加导通电流提高压降以补偿因温升造成的Vz减小。但是不能生搬硬套将此法用于E结，温升使Ib增加工作点漂移，如果增加电流就更甚；在BE两极并上一个二极管，温升使二极管电流增加对Ib分流，使其波动很少，实现温度补偿。

稳压管补偿

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