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楼主
鸟鸟|  楼主 | 2012-5-12 00:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
PowerAnts| | 2012-5-12 06:49 | 只看该作者
由这个开漏输出的NMOS在芯片上的面积决定. MOSFET是由许多微小的胞并联而得, 面积越大, 胞越多, 电流就越大, 另外还与热阻有关.

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板凳
Lgz2006| | 2012-5-12 08:15 | 只看该作者
手册所载是一个测试值——当VDS=0.25V是的电流值,其意义相当于导通电阻
测试中可受VDD影响
芯片制造中可直接受片面积影响

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