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旧贴新问,有图求真相(蚂蚁有空过来看看)

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楼主
本帖最后由 bybxjhsy 于 2012-6-25 21:53 编辑

原帖地址为:https://bbs.21ic.com/icview-333809-1-1.html
原问题为“ 如附件所示为一推挽驱动电路,但我对里面部分器件作用不是很明确,其中V3B_AFE是0V~-VLOW幅度的方波,里面两个100欧姆电阻,BAT54-04以及C79与C80分别做什么用的呢?”

蚂蚁的回答是:“回路具有感性,驱动源内阻一般很小,使能信号一般要串电阻进行阻尼,避免振铃;
开关关闭时的电流一般较大,为了加速关断过程,需要加快栅极电荷的泄放,故而电阻上反并一个二极管;
栅漏极并一个电容,是为了减缓关断时漏极的dv/dt, 保护MOSFET及优化EMI。”

我还想继续请教的是:

1、慢开快关这个对于感性的负载降低开关损耗会有好处,,如果负载为非感性的,而是一个纯阻性的,那么快关慢开还有好处么?

2、如果是个开关电源,工作在DCM和CCM模式下,这个
慢开快关对于降低开关损耗效果又有什么区别?


3、对于电容的疑问,在应用上,为了降低米勒效应会通过一些手段有意减小Cds这个电容对电路的影响,现在在GD上加这个电容,不会更加明显的增加米勒效应么?


4、

栅漏极并一个电容,是为了减缓关断时漏极的dv/dt, 保护MOSFET及优化EMI。我还是不太明白  既然是快关,这里又减缓关断时的

漏极的dv/dt,这不矛盾么?

12050909283d077cd48cb0d302.jpg (31.17 KB )

12050909283d077cd48cb0d302.jpg

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沙发
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-25 22:25 | 只看该作者
大牛们都跑哪儿去了?

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板凳
tjzyh| | 2012-6-25 23:36 | 只看该作者
1.正如蚂蚁所说,慢开快关,是通过上下管开关速率的不同,设置一个死区时间,避免电源短路。跟负载无关。
2.不知道怎么解释
3. 我认为图是错的,电容应该是在GS之间。
4. 你可以看MOFSET的寄生图,当MOS上的电压VDS快速变化时,也就是dv/dt,会通过寄生电容,耦合到CISS上。如果这个电压过高(20v),会造成MOS进入导通状态或者击穿。在GS之间并电容,可以提高可靠性。这个电容主要是影响啦MOS的开关延迟时间,MOS的开关速度主要是米勒平台的时间决定。

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地板
不亦心| | 2012-6-26 16:20 | 只看该作者
1,需要一个死区来避免上下管同时导通
2,快关会降低关断损耗;慢开会增大开通损耗,对CCM影响比对DCM的影响要大,因为DCM是零电流开通
3,GD并电容米勒效应是会更明显,但是开和关的速度都会降低,EMI会有改善
4,不矛盾,参考1和3

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PowerAnts + 1
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xukun977| | 2012-6-26 18:24 | 只看该作者
蚂蚁闭关修炼九阳神功了:lol

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6
PowerAnts| | 2012-6-27 02:25 | 只看该作者
5# xukun977

休息10分钟

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7
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-27 09:59 | 只看该作者
本帖最后由 bybxjhsy 于 2012-6-27 10:20 编辑

好好想了下,觉的是这么个样子:
1):这个问题主要想讨论的是快关慢开对于损耗的影响。这里的二极管和电阻构成不同的电流进出的通路,设置了一个死区时间,这个是与负载无关的、也是必须的,防止电源和地短路。但是对于损耗来说,如果是纯阻性的负载和感性负载,对于损耗就不一样了,对于开关电源的CCM模式和DCM模式又是有区别的。阻性负载和感性负载的关闭情况是类似的,是非零电流的关闭,在关闭的过程中某一时间点的损耗可以I^2*Ron来计算。但是对于开启过程,阻性和感性的又不一样,对于感性DCM是零电流导通,而且在整个导通的过程中,电流是从零以一定的斜率线性上升的,电流的上升是需要一个过程和时间,因此在开通整个过程中的电流仍然是一个比较小的值,损耗I^2*Ron也是一个较小的值,因此一般的开启的速度的快慢对于损耗不会有太明显的改善,而且以相同的开启和关断时间相比较,损耗会比关断损耗小很多,但是过于快的开启速度会对产生一定程度的EMI。而慢的开通不会明显的增加损耗,又可以降低EMI因此选择慢的开通。CCM介于DCM和纯阻性之间,分析同上。
2):见1中分析。
3):这个电容会增加米勒效应,但是影响速度的更重要的是Cgs,如二楼“tjzyh”认为应该这个电容接在GS之间,这个电容应该是加在gs还是ds之间,还有些疑问,整明白再继续上传分析吧。
4):我个人认为这个是矛盾,但是是一种权衡,是速度损耗和EMI的做出的一种权衡。

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8
不亦心| | 2012-6-27 12:35 | 只看该作者
本帖最后由 不亦心 于 2012-6-28 14:12 编辑

1,MOS管的损耗有开通损耗,关断损耗和导通损耗,从LZ的分析来看,显然没有分清这几个损耗
3,Cgs和Cgd的作用区别还是比较大的。。。Cgs可能反而会加快开关速度而且防止二次导通
======================
更正:“Cgs可能反而会加快开关速度”说法错误

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9
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-27 13:41 | 只看该作者
本帖最后由 bybxjhsy 于 2012-6-27 13:45 编辑
1,MOS管的损耗有开通损耗,关断损耗和导通损耗,从LZ的分析来看,显然没有分清这几个损耗
3,Cgs和Cgd的作用区别还是比较大的。。。Cgs可能反而会加快开关速度而且防止二次导通 ...
不亦心 发表于 2012-6-27 12:35

这个有误“I^2*Ron”这个是导通损耗,改成R 这个R 表示漏源之间的电阻没问题了吧,开通损耗和关断损耗过程分析的没错吧
还有,导通和关断损耗在米勒效应平台区域这个时间段内的损耗占整个损耗的70%以上,加这个电容会明显增加这个过程,对降低损耗没一点好处。

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10
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-28 09:27 | 只看该作者
:)
鸟鸟 发表于 2012-6-28 00:10

你个鸟鸟,就这么跑了?

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11
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-28 11:57 | 只看该作者
1,MOS管的损耗有开通损耗,关断损耗和导通损耗,从LZ的分析来看,显然没有分清这几个损耗
3,Cgs和Cgd的作用区别还是比较大的。。。Cgs可能反而会加快开关速度而且防止二次导通 ...
不亦心 发表于 2012-6-27 12:35

“Cgs可能反而会加快开关速度。。。。”???何解?

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12
不亦心| | 2012-6-28 14:03 | 只看该作者
sorry。
脑袋短路了。
这就去改。。。 12# bybxjhsy

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13
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-28 14:09 | 只看该作者
sorry。
脑袋短路了。
这就去改。。。 12# bybxjhsy
不亦心 发表于 2012-6-28 14:03

正常正常,笔误笔误

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14
fenggzh| | 2012-6-28 16:32 | 只看该作者
“Cgs可能反而会加快开关速度。。。。”???何解?
bybxjhsy 发表于 2012-6-28 11:57

我刚刚学习了米勒效应,按我的理解极间电容会通过米勒效应等效到Cgs上,但是是一个负的容抗,那再并联一个真正的Cgs,是不是就能一定程度消除米勒效应呢?

求解。

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15
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-28 16:44 | 只看该作者
我刚刚学习了米勒效应,按我的理解极间电容会通过米勒效应等效到Cgs上,但是是一个负的容抗,那再并联一个真正的Cgs,是不是就能一定程度消除米勒效应呢?

求解。 ...
fenggzh 发表于 2012-6-28 16:32

提高Cgs和Cdg的容比,在一定程度能上减弱米勒效应。

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16
tjzyh| | 2012-6-29 10:30 | 只看该作者
16# bybxjhsy
你学了半天,就认识到这种程度?

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17
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-29 11:57 | 只看该作者
16# bybxjhsy  
你学了半天,就认识到这种程度?
tjzyh 发表于 2012-6-29 10:30

你个鸟人,还请指教一二,呵呵

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18
tjzyh| | 2012-6-29 18:50 | 只看该作者
18# bybxjhsy
指教个屁啊,我都说过啦。GD之间要是并电容有道理的话,你就别做研发啦

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19
witin| | 2012-6-29 22:39 | 只看该作者
GD之间加电容,使mos管的频率响应变差,输入上升期间,加入二极管使PMOS关断速度加快,下降期间使Nmos关断加快。 改善MOS管的打开速度比关断速度快这一特性。

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20
bybxjhsy|  楼主 | 2012-6-30 17:24 | 只看该作者
19# tjzyh 呵呵 要听天涯哥的教诲

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