如附图中Q1管子用于驱动一负载，负载电流约20mA。纯阻性负载，无瞬间冲击。在调试过程中发现，Q1及Q2均易损坏。为了减小静态电流，因此不能将R1、R2电阻减小。分析可能损坏的原因有如下几种：
1、MOSFET质量问题。但由于从不同经销商购买过数批此MOSFET，均发现有损坏的现象。
2、焊接静电击穿。采用普通的电烙铁，但就算拔掉电烙铁的电源再焊接时，依然有发生MOSFET损坏的现象。
3、MOSFET上拉电阻太小。
产生损坏时，部份MOSFET的GS端呈现较低阻抗。此时将有较大的电流流经R3、R4，电流约为几十uA到上百uA。
请问各位，是否碰到过此问题。MOSFET上拉电阻能否取到4.7M这样的量级。在如下描述的情况中，最有可能的损坏原因是哪个？ |
楼主
标题置顶
标题高亮
;){kind=link}