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可控硅控制单相交流电机正反转，击穿

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longdeng84|  楼主 | 2013-11-25 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
交流电机, 单相交流, 可控硅, 电机正反转, 控制
本帖最后由 tyw 于 2019-11-10 11:46 编辑

   

采用这种电流控制结构，电机里面串联了行程开关，试验的时候，发现总会有可控硅击穿，表现为A1，A2，G电阻为0。
有时候连光耦也是被击穿短路。

可控硅用的是BTA40 800V的，电动机功率200W以下。

初步判断是行程开关关断瞬间，电感的反电动势击穿了可控硅。

请问怎么用示波器可靠观察反电动势的大小？


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Jack20130904| | 2014-2-21 09:21 | 只看该作者
解决了吗，我现在也在研究这个

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Jack20130904| | 2014-2-21 09:23 | 只看该作者
示波器去掉那个接地端就行

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5楼
dream2020杭州| | 2019-11-10 10:44 | 只看该作者
本帖最后由 dream2020杭州 于 2019-11-10 10:46 编辑
Jack20130904 发表于 2014-2-21 09:21
解决了吗，我现在也在研究这个

原理图与楼主一样   可控硅瑞萨BCR16PM   370W  单相异步电机 移项电容16uF ;  验证结论，移相电容通过两可控硅放电，瞬间dI/dt  超出限值；导致击穿；    移相电容回路串联14uH 空心电感；完美解决；

946375dc77a0ac0402.png (162.85 KB )

946375dc77a0ac0402.png

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dream2020杭州| | 2019-11-10 10:48 | 只看该作者
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longdeng84|  楼主 | 2019-11-12 08:57 | 只看该作者
dream2020杭州 发表于 2019-11-10 10:44
原理图与楼主一样   可控硅瑞萨BCR16PM   370W  单相异步电机 移项电容16uF ;  验证结论，移相电容通过两 ...

谢谢您的指导。

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