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高压电子负载MOS管损坏

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leail|  楼主 | 2014-1-2 11:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 压电, 电子, 高压, 电路
各位高手们，小弟最近在做一个高压电子负载500V/300W电子负载，但在实验中，经常烧MOS管，损坏后的现象是d,g,s三个脚任意二个脚短路，电阻很小，实验主要是在360V/0.5A以上损坏，其中任意一个MOS。360V/0。4A 无论测试多久，MOS管都不会损坏。

请大家帮我看看，问题出在哪？负载使用4个单独驱动电路，驱动4个功率MOS管。

mos 损坏，.bmp (301.05 KB )

MOS损坏瞬间

MOS损坏瞬间

mos 损坏，电流缓慢关断，带载中损坏MOS管波形.bmp (301.05 KB )

mos 损坏，电流缓慢关断，带载中损坏MOS管波形.bmp

mos 损坏，2.bmp (301.05 KB )

mos 损坏，2.bmp

mos 损坏，3.bmp (301.05 KB )

mos 损坏，3.bmp

MOS驱动电路.jpg (54.76 KB )

驱动电路

驱动电路

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沙发
leail|  楼主 | 2014-1-2 11:05 | 只看该作者
自己顶一个，静等高手指点，如有不明白之处，我及时补充。

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板凳
Lgz2006| | 2014-1-2 11:33 | 只看该作者
负载使用4个单独驱动电路，驱动4个功率MOS管。

这句话什么意思

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地板
subukenai| | 2014-1-2 11:39 | 只看该作者
坐等高手出现，解决问题

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5楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 12:19 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 11:33
这句话什么意思

哈哈，不好意思，表达不清楚，我的意思是说，我的负载模块，是使用4个MOS管，这四个MOS管的，驱动电路是独立的，只有指令是同一个。请见上面的驱动电路，是1X4的关系。

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Lgz2006 2014-1-2 12:26 回复TA
再猜，负载不均衡，尤其动态时分 
6楼
Lgz2006| | 2014-1-2 12:35 | 只看该作者
再猜。查看管子安全区  发表于 2014-1-2 11:26

你把管子参数贴过来看

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7楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 13:22 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 12:35
你把管子参数贴过来看

这二个MOS管，我都有实验过，由于暂时电压只有测试到360V，所以电压是绝对满足要求的。

这二个MOS管损坏瞬间的波形及损坏后的状态，都是一样的。

FQL40N50.pdf

641.5 KB

AOK18N65.pdf

443.79 KB

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8楼
Lgz2006| | 2014-1-2 13:39 | 只看该作者
我看工作在200V以下安全

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9楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 13:44 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:39
我看工作在200V以下安全

没错，250V以下，都绝对安全，没问题，请问这是为啥？哪里有问题？

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10楼
Lgz2006| | 2014-1-2 13:49 | 只看该作者
看上午技术版点评
Lgz2006  再猜。查看管子安全区  发表于 2014-1-2 11:26

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11楼
longfenghugui| | 2014-1-2 13:58 | 只看该作者
路过顶一下

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12楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 14:00 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

这全区域，400V的时候，到1A都没有问题啊.

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13楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 14:02 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

负载均流，是没有做到很好，但最在和最小电流差不超过0.2A,我四个MOS管，一共才流过0.6A电流，按理说，也应该在安全区域里？小弟一时糊涂，请高手详细指点！

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Lgz2006 2014-1-2 14:19 回复TA
散热系统呢 
14楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 14:52 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

散热的话，这个东西，不好说，瞬间的，没法看，我只能说，现在负载才180W，散热片还是冷的，正常情况不坏的话，320W是没有问题，负载一天，散热片的温度不过70度多右，我想应该散热没问题。瞬态热能，从理论上计算，是没有超过150度的。热阻我按0.4算，功率每个管子我算60W，也才24度。再加上，环境温度，和一些其他的，也不应该超过150度，散热片没有温度。

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15楼
Lgz2006| | 2014-1-2 15:07 | 只看该作者

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参与人数 1威望 +2 收起 理由
leail + 2 先给2分，谢谢您的分析。等解决了，再加分.
16楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 15:23 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-1-2 15:07

嗯，每次损坏时，电流都会出现这个情况，VGS也是异常升高。图中的VGS已经升上，上但我的驱动电路最大电压才9V，这VGS已经超过我的电源电压，而且驱动信号是没有变化的。从波形上看VGS升高时，电流没有跟随变化，所以我想，是不是MOS在此时已经损坏，导致VGS上升，电流异常？这电流瞬间升高是MOS损坏，短路所出来的电流。我现在，从重新改动均流，试试，把均流做的更好一点，看是否有问题。您再帮我看看，还有其他可能性没？

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Lgz2006 2014-1-2 15:27 回复TA
能想到的也就散热没把握 
17楼
elec921| | 2014-1-2 16:40 | 只看该作者
检查以下方面
1、采样电阻功率。
2、管子耗散功率，看散热情况，我公司类似产品每个管子耗散功率一般控制在40W以内
3、电路是否震荡。
4、PCB设计及MOS安装工艺

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18楼
leail|  楼主 | 2014-1-2 16:57 | 只看该作者
elec921 发表于 2014-1-2 16:40
检查以下方面
1、采样电阻功率。
2、管子耗散功率，看散热情况，我公司类似产品每个管子耗散功率一般控制在 ...

谢谢，这几样，我都看过，只有散热，安装工艺这些东西比较抽象不好查。也不能马上更改实验。

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19楼
zyj9490| | 2014-1-2 18:35 | 只看该作者
在G,S间加一个限压,DS间的最大击穿电压跟温度有关,要降额使用才对.

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20楼
Lgz2006| | 2014-1-2 20:31 | 只看该作者
此问题出现在带载稳定1，2，秒后

这个里面就有玄机了。若能发个管子安装实物截图就好了

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