利用STC12C5410AD做电容测试中的一些疑惑~~

只看该作者 · 2014-1-13 14:02

电路图如上~~想通过比较器，来产生中断，然后单片机定时器计算时间，算出电容，这种方法可行么？？
另外STC12C5410AD的捕捉上升沿和下降沿模块怎么编写啊~~

1万 · 2014-1-13 17:45

利用测量充放电时间可以测量电容

只看该作者 · 2014-1-14 14:22

芯片自带有PCA模块专门干这个的

2万 · 2014-1-14 14:54

可以的啊，我多年前做的一个电容测量仪就是用一路LM393做比较器测电容的，两档量程400uF（分辨率0.001uF）和40000uF（分辨率0.1uF），还可以的，电路简单，也是用的STC的MCU，LED数码管显示。

只看该作者 · 2014-1-15 14:48

coody 发表于 2014-1-14 14:54
可以的啊，我多年前做的一个电容测量仪就是用一路LM393做比较器测电容的，两档量程400uF（分辨率0.001uF） ...

大神，在么？、能教教小弟么。。我想要达到至少nf级别的。。可是，我用定时器记录的时间不知道为什么不准确。。时间和理论值不对啊。。而且超小。。:Q

只看该作者 · 2014-1-15 14:55

  void INT1_Init()
{
// EA=1;
EX1=1;
IT1=0;

}
void Timer0Init(void) //255微秒@11.0592MHz
{ EA=1;
AUXR &= 0x7F; //定时器时钟12T模式
TMOD &= 0xF0; //设置定时器模式
TMOD |= 0x02; //设置定时器模式
TL0 = 0x15; //设置定时初值
TH0 = 0x15; //设置定时重载值
TF0 = 0; //清除TF0标志
TR0 = 1; //定时器0开始计时
}
/*-------充电电压已到10/11VCC---------*/
  void INT1_VCC_HIG(void) interrupt 2
{
TR0=0; //计数时间到关闭计数器
TIME_COUNT2= TL0;

// TIME_COUNT1= TH1;
CAP_COUNT=TIME_COUNT2; // 计shi的总量
yellow_led=0;
// CAP_TIME= CAP_COUNT+OVERFLOWFLAG*255;    // 得到计shi的总时间

}
void Timer0_isr(void) interrupt 1
{

  OVERFLOWFLAG++;  //溢出标志
}

单片机电源和充电电源一个开关，一上电就充。。为什么的出的时间不对啊。。理论上不是可以达到um级别的么。。我充220nf的，时间只有TL0=40，OVERFLOWFLAG=0啊。。充电电阻已改为1M，为了增大时间啊。。求大家帮帮忙啊。

2万 · 2014-1-15 15:19

qjp1988113 发表于 2014-1-15 14:48
大神，在么？、能教教小弟么。。我想要达到至少nf级别的。。可是，我用定时器记录的时间不知道为什么不准 ...

电阻太大时，你得考虑比较器的输入有偏置电流。如果用低输入电流的（比如1nA以下）就可以忽略。
我用的是LM393，输入电流是25nA，电阻是100欧姆或10K，所以输入电流可以忽略。如果你用到1M，则，误差稍大。我用的计时基准是10us，用100K电阻的话，分辨率是0.1nF。

只看该作者 · 2014-1-15 15:31

我用10K电阻和150nf的电容充电。我程序上是这样：一旦充到10/11Vcc，它就给INT1中断.，然后关闭定时器。读定时的值，和溢出的值。。然后T=OVERFLOWFLAG*255+TL0。这样算有问题么。可以与直接算出时间，两者对比，相差好大。t=- RC ln(1-uc/Vcc)
t=-(10^4)*150*(10^-9)*ln(1/11)
=-150*(10^-5)*(-2.3979)
=0.15*2.3979*(10^-2)=0.00359684s=3596us啊。。
为什么单片机输出的是：TL0=124，OVERFLOWFLAG=0啊。。:Q

只看该作者 · 2014-1-15 15:54

没人在了么？？哎。。

2万 · 2014-1-15 21:38

LM393不是Rail to Rail输入的，最大输入为VDD-1.5，这个你要留意，因为我看到了你的描述中有“10/11Vcc”。
充电超过2/3 VCC后，电压上升开始缓慢，这也是误差增加的原因。
所以，我就充电到2/3 VCC左右，基本就是保证充电时间为 R*C就OK。

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