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Mos管驱动电流计算方法?

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楼主: luochangqing112
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esfans 发表于 2019-3-25 12:14
@maychang 请教:74楼 图 (在mos 开启工作图中),t3 - t4 是 可变电阻区, t4时刻对应的 VGS 是那个参数 ...

74楼图中虚线(表示漏极电流)是错误的。

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82
esfans| | 2019-3-29 13:14 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-3-25 17:47
74楼图中虚线(表示漏极电流)是错误的。

@maychang   : 那正确的ID的曲线是 ?  是 T0 -  T4 都是在缓慢爬升,到T4 后是 完全饱和最大电流 ?

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83
maychang| | 2019-3-29 16:39 | 只看该作者
esfans 发表于 2019-3-29 13:14
@maychang   : 那正确的ID的曲线是 ?  是 T0 -  T4 都是在缓慢爬升,到T4 后是 完全饱和最大电流 ?  ...

漏极电流从时刻t2从零开始上升(t0~t2漏极电流为零),到t3达到受电源电压和负载决定的最大值。

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84
esfans| | 2019-4-1 16:34 | 只看该作者
本帖最后由 esfans 于 2019-4-1 16:36 编辑
maychang 发表于 2019-3-29 16:39
漏极电流从时刻t2从零开始上升(t0~t2漏极电流为零),到t3达到受电源电压和负载决定的最大值。 ...

@maychang  T3 之后,电流已经达到电源 和 负载决定的最大值(那就是说MOS 已经达到 类似三极管完全饱和导通 状态),那 T3- T4 状态 Qg 还在充电,那T3-T4时间段对计算最大开关速度没意义 ?(因为电流已经达到最大了,那可以设计开关速度满足:在T0 - T3开启, T3之后关闭 ,这样不可以?)

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85
maychang| | 2019-4-1 16:54 | 只看该作者
esfans 发表于 2019-4-1 16:34
@maychang  T3 之后,电流已经达到电源 和 负载决定的最大值(那就是说MOS 已经达到 类似三极管完全饱和导 ...

那 T3- T4 状态 Qg 还在充电,那T3-T4时间段对计算最大开关速度没意义 ?(因为电流已经达到最大了,那可以设计开关速度满足:在T0 - T3开启, T3之后关闭 ,这样不可以?)

T3之后关闭,当然可以。但你并不知道何时管子达到T3,除非你能够测量管子漏极源极之间电压来判断管子已经达到类似双极型三极管的完全饱和导通状态。

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86
esfans| | 2019-4-2 11:29 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-4-1 16:54
那 T3- T4 状态 Qg 还在充电,那T3-T4时间段对计算最大开关速度没意义 ?(因为电流已经达到最大了,那可 ...

@maychang  厂商提供的Qg 值都是 包含 T3-T4 阶段,可以根据直接提供到 T0-T3阶段的Q 值计算开关频率,这样不是知道 T3 时刻关闭点了吗 ?        问题 2 :  T4 时刻的 Vg 电压 是由具体应用时给定的驱动电压 ? 比例 某电路中给定的 门极驱动是15V ,图中T4 时刻就是该应用的15V ?  还是说是MOS管本身自己参数决定的一个门电压值 ?

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87
maychang| | 2019-4-2 12:11 | 只看该作者
esfans 发表于 2019-4-2 11:29
@maychang  厂商提供的Qg 值都是 包含 T3-T4 阶段,可以根据直接提供到 T0-T3阶段的Q 值计算开关频率,这 ...

由于产品参数的分散性和实际应用环境的变化,不可能根据Qg值来判断t3时刻。

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88
esfans| | 2019-4-7 17:50 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-4-2 12:11
由于产品参数的分散性和实际应用环境的变化,不可能根据Qg值来判断t3时刻。 ...

@maychang  86楼的 问题2  是什么答案?  谢

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89
maychang| | 2019-4-7 17:57 | 只看该作者
esfans 发表于 2019-4-7 17:50
@maychang  86楼的 问题2  是什么答案?  谢

问题 2 :  T4 时刻的 Vg 电压 是由具体应用时给定的驱动电压 ? 比例 某电路中给定的 门极驱动是15V ,图中T4 时刻就是该应用的15V ?  还是说是MOS管本身自己参数决定的一个门电压值 ?

看此图吧。这是原厂给出的。
上图纵轴是门极-源极电压,显然是使用者施加到MOS管门极的。

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90
Power0088| | 2019-5-5 14:50 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-4-7 17:57
问题 2 :  T4 时刻的 Vg 电压 是由具体应用时给定的驱动电压 ? 比例 某电路中给定的 门极驱动是15V , ...

老师,dfn5x6封装,60V,400A,0.5mR的mos管,需要怎么测试,确定性能?

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maychang| | 2019-5-5 14:56 | 只看该作者
Power0088 发表于 2019-5-5 14:50
老师,dfn5x6封装,60V,400A,0.5mR的mos管,需要怎么测试,确定性能?

测试MOS管性能,一般整机厂家办不到。
最好是仔细阅读该型号MOS管原生产厂家提供的datasheet。

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92
Power0088| | 2019-5-28 19:49 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-5-5 14:56
测试MOS管性能,一般整机厂家办不到。
最好是仔细阅读该型号MOS管原生产厂家提供的datasheet。 ...

老师,像这两副图是测试MOS的两个参数,S端加这个电阻的目的是什么,需要加多大合适呢?


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93
maychang| | 2019-5-28 19:56 | 只看该作者
Power0088 发表于 2019-5-28 19:49
老师,像这两副图是测试MOS的两个参数,S端加这个电阻的目的是什么,需要加多大合适呢?

我也不知道源极串接这么一个电阻是什么目的。

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因火生烟| | 2019-6-19 10:24 | 只看该作者
不错

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cdj01| | 2019-11-6 20:23 | 只看该作者
好贴,学习了

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billy_2005| | 2019-12-12 11:11 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-7-20 19:19
你要300ns,管子Rise Time有68ns,所以你的驱动能力应该在(300ns-68ns)内使管子导通。也就是说,驱动电 ...

老师你好,这个RG,是指串联到MOS G极的电阻值还是值  驱动MOS的驱动管内阻+MOS G极的电阻值的和?

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97
小强22333| | 2020-3-5 16:28 | 只看该作者
好贴,赞

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98
Power0088| | 2020-3-20 09:20 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-3-10 18:15
功率MOS管的datasheet一般都会提供这样的曲线。从此曲线上可以读出每次动作所需要充电或者放电的电量。 ...

老师,mos管结电容,可以用电桥按这个规格书的条件测试出来吗?我感觉不行哦,因为结电容是动态参数吧,电桥是测试的静态吧,请指点如果用LCR电桥如何测试结电容?先谢谢了

mmexport1584593368289.jpg (87.01 KB )

mmexport1584593368289.jpg

mmexport1584593363479.jpg (111.1 KB )

mmexport1584593363479.jpg

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QWE4562009| | 2020-4-1 14:11 | 只看该作者
luochangqing112 发表于 2014-7-20 19:41
谢谢,这么热的天大周末的还给我回复。还有两点疑问,
1、根据参数,这个测试是在条件VGs=10V下获得的, ...

电压增大   电流也需要增大?我没看错吧

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QWE4562009| | 2020-4-1 14:12 | 只看该作者
luochangqing112 发表于 2014-7-21 09:35
测得的mos开启波形,如图,是0V-4V时间为T1, 4V持续时间为T2,4V上升到15v的时间为T3,15v上升到18V的时间 ...

图呢?

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