GD32学习笔记4-FLASH的读写

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-5 10:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 sunmeat 于 2014-8-5 11:13 编辑

FLASH分为两种,NOR Flash和NAND FLASH,GD32中的FLASH属于NOR Flash,两者的区别如下:

NOR Flash:
1.程序和数据可存放在同一片芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机地读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行
2.可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。


sunmeat|  楼主 | 2014-8-5 11:00 | 显示全部楼层
NAND FLASH
1.以页为单位进行读写操作,1页为256B或512B;以块为单位进行擦除操作,1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能
2.数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程
3.芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器
4.芯片存储位错误率较高,推荐使用 ECC校验,并包含有冗余块,其数目大概占1%,当某个存储块发生错误后可以进行标注,并以冗余块代替
5.Samsung、TOSHIBA和Fujistu三家公司支持采用NAND技术NAND Flash。目前,Samsung公司推出的最大存储容量可达8Gbit。NAND 主要作为SmartMedia卡、Compact Flash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为Flash磁盘技术的核心。

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-5 11:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 sunmeat 于 2014-8-6 11:36 编辑

GD32的FLASH有几个新的不同
1.实现了单周期32位读操作,无任何等待延时
2.可以一次性写入半个字或者1个字

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-6 12:10 | 显示全部楼层
FLASH写入半个字的顺序如下
图像 204.png

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-6 12:11 | 显示全部楼层
flash页擦除的顺序如下
图像 205.png

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-6 12:17 | 显示全部楼层
块擦除的顺序如下
图像 206.png

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-6 15:33 | 显示全部楼层
关于读保护的说法
1.读保护需要设置RDP位,然后芯片重新上电复位后使能
2.给RDP中写入0x00A5后,然后重新上电复位,可以解除读保护
具体等板子回来后测试

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sunmeat|  楼主 | 2014-8-6 15:37 | 显示全部楼层
关于写保护的说法
1.写保护需要配置WRP位,然后重新上电后使能写保护
2.解除写保护需要配置OBER位和给给RDP中写入0x00A5后,然后重新上电复位,可以解除写保护
具体需要等板子回来后测试

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锐鑫同创| | 2014-8-7 13:57 | 显示全部楼层
朋友果然做的详细,给个赞

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yc_xpg| | 2015-7-16 16:22 | 显示全部楼层

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angerbird| | 2015-7-17 22:40 | 显示全部楼层
可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。

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smilingangel| | 2015-7-18 15:06 | 显示全部楼层
NAND FLASH以页为单位进行读写操作,1页为256B或512B;以块为单位进行擦除操作,1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能

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wingis| | 2018-8-22 11:38 | 显示全部楼层
留个记号

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smilingangel| | 2018-8-23 22:00 | 显示全部楼层
FLASH分为两种,NOR Flash和NAND FLASH,GD32中的FLASH属于NOR Flash

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smilingangel| | 2018-8-23 22:01 | 显示全部楼层
看来原始的英文文档的介绍还是还是挺详细的

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zhangbo1985| | 2018-8-26 22:35 | 显示全部楼层
程序和数据可存放在同一片芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机地读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行

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zhangbo1985| | 2018-8-26 22:35 | 显示全部楼层
这样设计还是非常不错的

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