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【转】光耦参数解析

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楼主
任何器件的选型都是个复杂的工作,要考虑很多问题。在我没认识《硬件十万个为什么》的作者时,钽电容和普通的铝电解电容在设计时,除了ESR、正切角、成本不同外,基本上不考虑别的因素。他告诉我,钽电容失效时会起火,铝电容失效仅仅是电解液干涸。用在高可靠领域,尽量用好的铝电解电容,少用钽电容。我的知识里这块是空白,设计时系统的失效方式从未在我的考虑范围之内。我也直言,这的确超出了我的能力所及,除了佩服就是努力学习。尤其是被动器件,看起来简单,考虑起来真的是非常复杂。

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沙发
haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:54 | 只看该作者
光耦实际上是一个发光器件与光接收器件的组合器件,以光为媒介传输电信号的电->光->电转换器件。理论上等效模型,都可等效为CCCS(电流控制电流源)。

所以分析光耦的时候,很多仿真软件都没有什么光耦的模型,都需要用CCCS来等效。

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板凳
haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:55 | 只看该作者
光耦在电路中有很多奇葩的用法,但最主流的用法就是用来隔离信号。隔离数字信号和模拟信号。这两个要求大相径庭。数字信号往往要求低延时,Tpd要小。模拟信号除了带宽就是精确度的要求。但应用千差万别,各种不同的应用参数侧重点不同。所以,最重要的还是需要对自己的应用熟悉。然后对光耦这个器件的各个参数熟悉,才能知人善任。我就把光耦的几个重要的参数解析一下,然后在典型的例子里套一套,看看怎么选择这个参数。

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地板
haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:56 | 只看该作者
技术参数主要有发光二极管正向压降Vf、正向电流If、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)ceo、集电极-发射极饱和压降Vce(sat)。传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
CTR:光敏三极管的电流与 发光管的电流 的比值;
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最大值Vrms;
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最大值。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:57 | 只看该作者
电流传输比是最重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流Ic与直流输入电流If的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~600%(如ps2501),而PC817则为80%~160%;达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

上图是ps2501的CTR的特性,线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线;普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号。因此,它适合传输模拟信号,输出与输入之间呈线性关系。下图是IL300的传输图增益图。可以看到温度、电流等多重因素的影响下,基本上传输特性还是条直线。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:58 | 只看该作者

线性度不好的光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。如6N137,CTR大的离谱,手册里不直接提这个事情,直接上输出电压与输入电流的关系。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:59 | 只看该作者

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 20:59 | 只看该作者

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:00 | 只看该作者
大型开关电源中,驱动信号驱动功率器件需要隔离。这时,开关波形通过光耦的延时显得尤为重要。尽量选择延时比较小的光耦,下图是测试电路。在整个开关电源电路工作中,延时过大导致开关电源的瞬态响应变差,过小占空比和过大占空比传输不过去,只能牺牲调节精度和速度。所以,推荐光耦的带宽不小于MHz级。延迟时间不宜超过周期的1%。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:00 | 只看该作者
大型开关电源中,驱动信号驱动功率器件需要隔离。这时,开关波形通过光耦的延时显得尤为重要。尽量选择延时比较小的光耦,下图是测试电路。在整个开关电源电路工作中,延时过大导致开关电源的瞬态响应变差,过小占空比和过大占空比传输不过去,只能牺牲调节精度和速度。所以,推荐光耦的带宽不小于MHz级。延迟时间不宜超过周期的1%。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:01 | 只看该作者

还有一些直接整合图腾柱的光耦,适合驱动IGBT和大功率的mosfet,如ACPL-P341/ACPL-W341。其实也可以在外部做图腾柱的,电流也可以做得很大。集成得就是比较好用,生产问题会少一些,也会更可靠一些。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:01 | 只看该作者

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:01 | 只看该作者
光耦反馈式开关电源必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,除了必须遵循普通光耦的选取原则外,还需要考虑以下问题:
1、光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。若CTR>200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发。

2、若用放大器电路去驱动光电耦合器,必须精心设计,保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。

3、推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。也可以采用下面这种方式采用普通双光耦补偿。效果也还可以。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:02 | 只看该作者

上述使用的光电耦合器时工作在线性方式下,在光电耦合器的输入端加控制电压,在输出端会成比例地产生一个用于进一步控制下一级电路的电压,是单片机进行闭环调节控制,对电源输出起到稳压的作用。

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haolaishi|  楼主 | 2015-2-27 21:03 | 只看该作者
本帖最后由 haolaishi 于 2015-2-27 21:05 编辑

使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合隔离击穿电压的要求。但是我们在设计时很少考虑这个问题。如下图所示,Vcm即是两侧地的压差。Ps2501所能隔离的最大电压可达5000Vrms。隔离高低压信号的应用一定要关注此参数。
最后,还有一种光耦是可控硅型光耦。例如:moc3063、IL420;它们的主要指标是负载能力;例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA。

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Be_happier| | 2015-11-27 16:37 | 只看该作者
你好,看了你对光耦参数的解析感觉非常有用。我现在想用光耦做隔离电路,即输入侧为一个小的PWM方波信号控制光耦的通断,输出侧通过光耦的开关来改变直流电压的占空比,从而实现可控输出0-300V之间的电压值。由于我是新手,可能描述的不是很清楚,不知道有没有哪一款光耦可以实现这个功能,有什么注意点,求大神指导

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zhouapple1234| | 2016-10-13 10:20 | 只看该作者
haolaishi 发表于 2015-2-27 21:03
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电 ...

如果把3脚和5脚接到一起,这个还能起到隔离作用吗?

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18
hjxue200611| | 2018-10-24 18:08 | 只看该作者
Be_happier 发表于 2015-11-27 16:37
你好,看了你对光耦参数的解析感觉非常有用。我现在想用光耦做隔离电路,即输入侧为一个小的PWM方波信号控 ...

PC817就可以啊

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