单片机IO口电压被拉低,求大神指教

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sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 13:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 14:00 | 显示全部楼层
这是原理图

原理图

原理图

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jjjyufan| | 2015-7-2 14:13 | 显示全部楼层
基极串4.7k-10K 电阻
三极管 移到 LED 和gnd 之间

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jjjyufan| | 2015-7-2 14:15 | 显示全部楼层
NPN管 一般不这么用
你这样用PNP的 更合适 但基极也要串电阻 控制逻辑要换了

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sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 14:41 | 显示全部楼层
jjjyufan 发表于 2015-7-2 14:15
NPN管 一般不这么用
你这样用PNP的 更合适 但基极也要串电阻 控制逻辑要换了 ...

这样更改可以吗?
改进后的原理图.png

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sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 14:45 | 显示全部楼层
sias新哥 发表于 2015-7-2 14:41
这样更改可以吗?

不好意思,弄错了,这个才是,这样可以吗?
QQ图片20150702144331.png

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sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 14:54 | 显示全部楼层
jjjyufan 发表于 2015-7-2 14:13
基极串4.7k-10K 电阻
三极管 移到 LED 和gnd 之间

已经有上拉电阻了,不需要再串电阻了吧,不然基极电流太小,后级电流400mA,恐怕驱动不了吧

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dirtwillfly| | 2015-7-2 14:58 | 显示全部楼层
用三极管之前,为什么不翻翻电子电路的课本呢?在里面三极管讲了好多……

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sias新哥|  楼主 | 2015-7-2 16:15 | 显示全部楼层
dirtwillfly 发表于 2015-7-2 14:58
用三极管之前,为什么不翻翻电子电路的课本呢?在里面三极管讲了好多…… ...

你这样说,我竟无言以对

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dirtwillfly| | 2015-7-2 17:14 | 显示全部楼层
sias新哥 发表于 2015-7-2 16:15
你这样说,我竟无言以对

:lol玩笑啊,别当真。
网上也有很多资料的,但要看比较全的,不要看断章取义的那种

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chunyang| | 2015-7-2 23:22 | 显示全部楼层
建议楼主去翻翻教科书,看看晶体管共射极电路和射极跟随器有什么差别。

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autolog| | 2015-7-3 09:32 | 显示全部楼层
多读书

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wh6ic| | 2015-7-3 09:37 | 显示全部楼层

可以不作大改,就用2L的旧PCB,修改电阻就可以了:
  当前总Led电流220mA,每粒LED电流11mA,限流电阻压降为80x0.011= 0.88V(有80欧这个阻值??),按IO 4.3V,则三极管射极3.8V,即LED此时压降应该约2.92V,不是LZ以为的3.4V。
  如果P0.6能吃20mA,则上拉电阻最小可以选约510欧姆,假定三极管Hef有100倍,LED需要100mA,则基极电流1mA,IO端电压4.5V,发射极电压4.0V,按LED 3.4V,20mA电流,则限流电阻= (4.0-3.4)/0.02 = 30欧,考虑到离散性,限流电阻取39欧,估计总电流会大不少,具体要看LED的实际压降。

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