雨儿251 发表于 2017-7-7 11:29

MOS管DG上面加电容是什么原理？

这里的C183，不是很明白为什么要加在这里，虽然是no mount不焊接的

xmar 发表于 2017-7-7 11:52

C183软启动。

mmuuss586 发表于 2017-7-7 17:11

抗干扰用的；
启动和关断的时候用；

你可以分析下，根据电容2端电压不能突变的原理；

yuxiaoxu8728 发表于 2017-7-11 11:07

减小米勒平台，减小关断损耗，这个数字电路无所谓，基本不用

yuxiaoxu8728 发表于 2017-7-11 11:08

这个上拉要18K那么大吗？

cdlongbo 发表于 2017-7-12 10:08

仔细分析电容两边的电压不能突变。 这个是PMOS

雨儿251 发表于 2017-7-12 16:01

实测 是完全没什么用的 ，不太理解为什么加在这里

雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02

并没有起到想要的作用，加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的，他们加着 我们就必须加，日本客户就这个样子╮(╯▽╰)╭

lfc315 发表于 2017-7-18 18:36

没有这个电容，当后面电路负载电容很大的时候，MOS打开瞬间可能就挂了

xaorry 发表于 2017-7-21 09:00

雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02
并没有起到想要的作用，加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的，他们加着 我们就必须加，日本客户 ...

请教一下，加在GS有什么作用？

lfc315 发表于 2017-7-21 14:44

安装这个电容的时候，R212不能是0Ω

GetItDone 发表于 2017-10-27 14:05

设置软起动时间的

gx_huang 发表于 2017-10-27 15:18

别人的设计不一定合理呀。

xiaxingxing 发表于 2017-10-29 14:40

雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02
并没有起到想要的作用，加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的，他们加着 我们就必须加，日本客户 ...

加了这个电容，MOS管的关断速度不是减慢了吗？这样关断功耗不就增大了吗？求指教

出尘 发表于 2017-11-2 14:45

学习下！

尘埃落定~ 发表于 2017-11-19 20:27

1.这个DG电容在起一个保护作用。
2.100nf/25V这个选型有点不太理解，从截图的电路来说，选取1nF的即可，并且耐压值不需要这么高！左边的是3V3的电源麽，想转换控制Switch电路，应该还有一个control port没有画出来！

emco 发表于 2018-2-18 17:39

软起动，保护MOS

yes19891989 发表于 2018-2-24 16:03

mosfet缓启动，防止后端接入大电容时，开通瞬间，大电流烧毁mosfet的作用

愤怒的电容123 发表于 2021-11-8 11:32

本帖最后由 愤怒的电容123 于 2021-11-8 11:35 编辑

减小米勒平台，和尖峰电压，减缓开通时的dV/dt，放置芯片过冲损坏，一般在功率半导体行业内门极电容和门极电阻很重要，和MOS芯片或者是IGBT芯片内的寄生电容，寄生电感相互作用，保护芯片

NK6108 发表于 2021-11-12 11:43

意思岂不是说，牺牲开关速度以破坏湧浪形成的条件 ？！
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