帮我看一下为什么mos管会发烫
原理图如下 C:\Users\24212\Desktop 原理图原理图
你做什么导致发热的？死区是多少？为何BS脚的电容要选这个值？你的管子型号是80NF75？布局布线成这样的缘由呢？ 换一个型号IR2010，驱动电流太小300mA 纠错IR2101换一个电流大的型号，否则你就只有后面加一级驱动放大 Wattle_He 发表于 2017-8-6 20:13
你做什么导致发热的？死区是多少？为何BS脚的电容要选这个值？你的管子型号是80NF75？布局布线成这样的缘由 ...
死区时间是60ns，增大频率后电流增大从零点几安到1安多时候mos管发热特别严重，还有我用的mos是75 nf75，，里面有一个电容布线没有起到滤波的作用 一事无成就是我 发表于 2017-8-6 20:27
换一个型号IR2010，驱动电流太小300mA
为什么换一个驱动电流大的芯片，还有为啥我测出来mos管会有压降，单独测试是没有压降，接上负载的时候就有压降 一事无成就是我 发表于 2017-8-6 20:28
纠错IR2101换一个电流大的型号，否则你就只有后面加一级驱动放大
驱动放大是指的是电压，后面驱动电压达到了12v我的这个电路图 示波器看看栅极电压波形，用边沿模式，看看上升时间多少，下降时间多少。发热大概有两种可能，一种时驱动电压上升太慢导致开关损耗大，还有一种是上升太快，导致开关瞬间输出严重震荡也会加大损耗 本帖最后由 Wattle_He 于 2017-8-7 12:54 编辑
你好放大器 发表于 2017-8-7 09:28
死区时间是60ns，增大频率后电流增大从零点几安到1安多时候mos管发热特别严重，还有我用的mos是75 nf75， ...
60ns太短了
你有仔细看过手册么，IR2101的打开和关断时间远远大于60ns，延迟匹配都接近60ns
你这死区给了等于没给
还有，IR2101的驱动能力考虑过么，你那么点电流用这么大的管子相当不合适，很可能管子还没完全打开你就给关了，MOS完全就成了一个电阻。换成内阻小、电流小、Qg也小的管子， 速度太快了，或者功率太大了，散热不够吧； Wattle_He 发表于 2017-8-7 12:51
60ns太短了
你有仔细看过手册么，IR2101的打开和关断时间远远大于60ns，延迟匹配都接近60ns
你这死区给了 ...
要同时考虑驱动电压和电流的吗？？？？ mmuuss586 发表于 2017-8-7 15:34
速度太快了，或者功率太大了，散热不够吧；
不是理论上应该发热不严重的吗？
你好放大器 发表于 2017-8-7 16:00
要同时考虑驱动电压和电流的吗？？？？
不然呢，世界上有一瞬间就能给电容充满电的道理么？
理论上就不可能 Wattle_He 发表于 2017-8-7 17:52
不然呢，世界上有一瞬间就能给电容充满电的道理么？
理论上就不可能
那是不是要换一个芯片啊？？？ 输出电流小，上升下降变慢，放大区时间过长，IR2101典型的上升下降好像是200nS，请自己去核对，我用的是输出驱动1.2A的，频率低需要加一个5~10欧姆电阻，频率越高，电阻越小，甚至等于0
本帖最后由 Wattle_He 于 2017-8-7 23:47 编辑
你好放大器 发表于 2017-8-7 17:55
那是不是要换一个芯片啊？？？
我在12楼不是给你说了要换什么、改什么的么…… 可能存在两个MOS同时导通的时间段，用示波器看。
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