到底EEPROM是用来干什么的？能通俗易懂的给小弟解释下吗？
如题...1、EEPROM是指什么，求通俗点的解释....
2、EEPROM跟I2C有什么联系呢？
3、就是那个24c02芯片吗？
谢谢... 楼主可以系统看一下存储器的分类
EEPROM指的是电可擦除存储器
其实是ROM的一种 U盘里用的闪存本质上就是EEPROM 只是与一般的EEPROM有点差别 楼主可以系统看一下存储器的分类
EEPROM指的是电可擦除存储器
其实是ROM的一种 U盘里用的闪存本质上就是EEPROM 只是与一般的EEPROM有点差别
heyuanpi 发表于 2010-12-1 21:16 https://bbs.21ic.com/images/common/back.gif
还是不懂，比如我们写好的程序是放在ROM 对吧..那跟EEPROM有没有什么关系啊？ 能在解释下下下？？？ EEPROM就是“电擦除可编程ROM”，跟I2C没关系，跟24C更是风牛马。。。
EEPROM是个很大的范畴，就象楼上说的，U盘、SD卡等里的FLASH也属于EEPROM，因是电擦除可编程ROM。 用来存那些需要经常改动而且希望掉电后不会丢失的数据 如题...
1、EEPROM是指什么，求通俗点的解释....
2、EEPROM跟I2C有什么联系呢？
3、就是那个24c02芯片吗？
谢谢... LS，我在4楼解释已经够清楚了 把东西保存在EEPROM 里面，在掉电后不会丢失，下次上电时 可以读出来!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
我用最通俗的说法说了，，，，，， 1、EEPROM是指什么，求通俗点的解释....
电可擦写存储器，一种可重复写入，可在线重写，且不需要电源以维持数据保存的存储器技术。
2、EEPROM跟I2C有什么联系呢？
没有联系，I2C是Philips开发的一种2线制板上总线。
3、就是那个24c02芯片吗？
24c02是一种使用I2C总线接口设计的EEPROM存储器芯片，存储器用什么接口是没有关系的，有SPI接口和并口的EEPROM 如题...
1、EEPROM是指什么，求通俗点的解释....
2、EEPROM跟I2C有什么联系呢？
3、就是那个24c02芯片吗？
谢谢...
Jack602 发表于 2010-12-1 21:04 https://bbs.21ic.com/images/common/back.gif
1: LZ要学会使用网络搜索功能。
例如：http://zh.wikipedia.org/zh-cn/EEPROM
2&3: I2C是一种总线，但一种非常普及的串口EEPROM：24C系列就是使用I2C总线的，常见型号为24C02-24C1024！（所以不同意4L的说他们是风马的关系）
（BTW：好奇试验过刷写atmel的24C02寿命：约200W次，后来测试了MICROCHIP的24C系列，超过1000万次），当然，DS标准寿命是100W次，指标是比较保守的，可见：http://www.zmdz.com/bbs/forum_read.asp?id=71519&page=1&property=1&classid=2 ）
http://www.zmdz.com/bbs/incomefiles/20108/9011261603.JPG FLASH呢，跟那有什么差别吗？ 刚接触单片机不久，学到了，赚了 通常所说的“黑匣子”通常就是EEPROM 也许网上搜一下结果比这里还要明确。 讲的不错 必有我师 发表于 2010-12-4 18:47
FLASH呢，跟那有什么差别吗？
FLASH 主要分为NOR FLASH和NAND FLASH,本质上是属于EEPROM的一种。
为了区别FLASH，通常说的EEPROM，可以这样通俗的讲，是指那种不需要擦除，或者说不需要软件下擦除命令的就可以写的EEPROM。
而FLASH（无论NOR FLASH还是NAND FLASH) 写之前，需要先执行擦除的动作，有Block擦除和Page擦除。支持ROW写和WORD写，速度比通常说的EEPROM要快很多，由于出现的年代比通常说的EEPROM晚，应用了很多的新技术，比如ECC，而EEPROM通常没有。 收藏了，棒棒哒 eeprom是一个小容量的非易失存储器。
简单理解成就是电容搭成的寄存器电路， 主控只要按照接口连接， MCU里面的电路就可以直接导通eeprom的寄存部分，可以把数字信号存进去，或者调用数字信号。 是直接和里面的寄存线路连接，所以不需要识别码，不需要做主控认证。 只要能塞在电路里面，就可以直接存取信号。
后来半导体存储需求增加，大家需要更大容量的存储， 发现这种基础的原理级别的存储，不能满足要求，原因是电路按照字节写入， 那每个存储的单元都是独立的，线路在晶圆上来来回回的拉，导致晶圆面积很大，价格一直下不来。所以eeprom一般行业应用到512K就好了，6毛多钱。特殊光模块行业（对存储稳定性要求高，数据保存时间厂，可擦写次数多）用2M的eeprom，成本2块多钱。 然后就到了norflash，研发想了一下，做一个驱动电路，然后把电容板设计到一起，用上横行，竖行的电路，这样扫描一下横行竖行，就可以找到存储电容中到底是1还是0 ，从而达到存取的作用。所以到了nor flash就需要MCU先给NORflash发一个命令信号，NORFALSH再从自己的驱动里面给命令，驱动再去电容器矩阵里面找，这就大大降低了晶圆面积，成本就低了下来，8M的norfiash才是7毛钱。但是受电路原理制约到了1G的时候，成本就高的不可思议了。 因为norflash的电容存储矩阵，还是平面的，取数字从3排，4行取数据。还有对晶圆的面积要求，所以原理上成本太高了。 主流行业需要用的容量还在增加，需要达到2G，4G，到我们手机里面的128G，256G， 这时候又有了新的技术，我们用一个驱动，带动一个类似楼房的存储模块，从3楼，12排，3行 ，取一个数字。 这加工的时候直接把电容做成钢管形状，钢管的外壁和内壁行程电容差，钢管再套一层钢管，加电压就可以做到片擦片存，然后一个个钢管竖起来， 再加横线，再加竖线。 上述的3楼，12排，3行，里面只有1个电容，检测有无电容，就换成了数字命令可以存储0或者1 （SLC），，立体的东西难免有错误，就给驱动里面价格纠错电路（ECC），如果检测某一个电容不能动，就把这一块封锁了，不再存取， 这也是我们的U盘为什么64G用着用着就变成了58G，再用几年变成了40G，当然也是因为消费类U盘一般用的比较差的晶圆版本，晶圆区块比较容易坏。 一个包裹有两个电容，检测会出现 01,10,00,11四种情况，就可以存四个数字（MLC）。 3个就有8位数字(TLC)。4个就有16位数字（QLC） 但是到这，新的问题又出现了， 一个包裹存8个数字（三个电容），那有一个电容坏了，这个包裹数字就错了，所以理论上，相同制程的MLC寿命是SLC的一半（两个电容一个错了，这个区块就封锁了）， TLC是SLC寿命的1/8(三个电容块有一个坏了这里就封锁了) ，原因是现在按照区块存东西，本来我只存一个1，我调动一个电容就可以了，SLC数字1。MLC 数字01 TLC0001,QlC 00000001.很多数据冗余出来的一个1，就会浪费我4个存取电容的这一块的参数。 所以行业内慢慢就因为成本，技术，工艺，等分明出来了。 容量低存的数据是 是K级别的，就用EEPRROM，原因是不需要驱动电路，成本低。 容量到了M，就用nor flash，原因是平板驱动平面存储，晶圆面积相对小。 容量到了G，就要用nand flash，因为是立体驱动立体存储。 这三个中间的分界线中间，就根据特性选，比如我现在需要1m的存储，按照市场价格来说NORflash 已经比EEPROM低了，但是我需求就是可擦写次数400万次， 那我只能用EEPROM。 比如我需要2M的存储，按照市场价格来说NORflash 1块钱不到，但是我需要的行业是非常非常需要可靠性和寿命的，我一个通信模块架在在那里，需要季度的可靠性，我就选4块钱的EEPROM。 另一个选型是M和G的节点，也是因为寿命，擦写次数，需求的行业，对数据的可靠性，等等影响，部分行业会选高成本的NORflash。 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
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