请教SI4432的功耗问题
我的板是上 块STM8L051 和一个SI4432模块为了测试SI4432的功耗，单片机初始化完无线模块就进入待机模式电源是锂电池+HT7533 出来的3.3V, 测试结果是电流达到2.8mA ， 如果初始化时不SI4432进入准备模式（初始化代码最后改为si4432_write_reg(0x07, 0); ），电流能降到1.38mA
望调试过这款芯片的指点一下，谢谢！
我的SI4432的初始化代码：
void si4432_init(void)
{
spi_init();
//CS引脚
GPIOB->DDR|=(1<<4);
GPIOB->ODR|=(1<<4); //高
GPIOB->CR1|=(1<<4);
GPIOB->CR2|=(1<<4);
//IRQ引脚 PC0
GPIOC->DDR&=~(1<<0);
GPIOC->CR1|=(1<<0);//悬浮输入（上拉关）
GPIOC->CR2&=~(1<<0);//中断禁止
//GPIOC->CR2|=(1<<0);//中断使能
//EXTI->CR1|=(1<<1);//Px0引脚下降沿触发
si4432_write_reg(0x07, 0x80); //恢复所有寄存器为默认值
delay_ms(500);
si4432_read_reg(0x03); //清除所有中断标志
si4432_read_reg(0x04); //清除所有中断标志
si4432_write_reg(0x05, 0x00); //清除所有中断使能
si4432_write_reg(0x06, 0x00);//清除所有中断使能
si4432_write_reg(0x06, 0x80);//使能同步字侦测
si4432_write_reg(0x07, 0x01);//进入 Ready 模式
si4432_write_reg(0x09, 0x64);//负载电容= 10P
si4432_write_reg(0x0a, 0x05);//关闭低频输出
si4432_write_reg(0x0b, 0xea);//GPIO 0 当做普通输出口
si4432_write_reg(0x0c, 0xea);//GPIO 1 当做普通输出口
si4432_write_reg(0x0d, 0xf4);//GPIO 2 输出收到的数据
si4432_write_reg(0x70, 0x24);
si4432_write_reg(0x1d, 0x40);//使能 afc
// 1.2K bps setting
si4432_write_reg(0x1c, 0x16);//IF滤波带宽
si4432_write_reg(0x20, 0x83);
si4432_write_reg(0x21, 0xc0);//
si4432_write_reg(0x22, 0x13);//
si4432_write_reg(0x23, 0xa9);//
si4432_write_reg(0x24, 0x00);//
si4432_write_reg(0x25, 0x04);//
si4432_write_reg(0x2a, 0x14);
si4432_write_reg(0x6e, 0x09);
si4432_write_reg(0x6f, 0xd5);
//1.2K bps setting end
si4432_write_reg(0x30, 0x8c);//使能PH+ FIFO模式，高位在前面，使能CRC校验
si4432_write_reg(0x32, 0xff);//byte 0,1,2,3 作为头码
si4432_write_reg(0x33, 0x42);//byte 0,1,2,3 是头码，同步字3,2 是同步字
si4432_write_reg(0x34, 16); //发射16个Nibble的Preamble
si4432_write_reg(0x35, 0x20);//需要检测4个nibble的Preamble
si4432_write_reg(0x36, 0x2d);//同步字为 0x2dd4
si4432_write_reg(0x37, 0xd4);
si4432_write_reg(0x38, 0x00);
si4432_write_reg(0x39, 0x00);
si4432_write_reg(0x3a, '7'); //发射的头码为:"7250"
si4432_write_reg(0x3b, '2');
si4432_write_reg(0x3c, '5');
si4432_write_reg(0x3d, '0');
si4432_write_reg(0x3e, 10); //总共发射TxBuf_Len个字节的数据
si4432_write_reg(0x3f, '7'); //需要校验的头码为:"7250"
si4432_write_reg(0x40, '2');
si4432_write_reg(0x41, '5');
si4432_write_reg(0x42, '0');
si4432_write_reg(0x43, 0xff);//头码1,2,3,4 的所有位都需要校验
si4432_write_reg(0x44, 0xff);//
si4432_write_reg(0x45, 0xff);//
si4432_write_reg(0x46, 0xff);//
si4432_write_reg(0x6d, 0x07);//发射功率设置0x00:+1dBM0x01:+2dBM0x02:+5dBM0x03:+8dBM0x04:+11dBM0x05:+14dBM0x06:+17dBM0x07:+20dBM
si4432_write_reg(0x79, 0x0); //不需要跳频
si4432_write_reg(0x7a, 0x0); //不需要跳频
si4432_write_reg(0x71, 0x22);//发射不需要CLK，FiFo，FSK模式
si4432_write_reg(0x72, 0x30);//频偏为 30KHz
si4432_write_reg(0x73, 0x0); //没有频率偏差
si4432_write_reg(0x74, 0x0); //没有频率偏差
si4432_write_reg(0x75, 0x53);//频率设置 434
si4432_write_reg(0x76, 0x57);//
si4432_write_reg(0x77, 0x80);
SI4432_ANT_RDY_SEL; // 天线开关不在发射，接收状态
si4432_write_reg(0x07, 1); //IDLE模式
}
SDN引脚接地 STM8 + Si4432，最低功耗调过80uA的 梦幻泡影 发表于 2019-11-21 11:33
STM8 + Si4432，最低功耗调过80uA的
可否指点一二？？？ BitFu 发表于 2019-11-22 14:51
可否指点一二？？？
初始化完成以后，MCU进入低功耗模式，等待外部中断唤醒，射频芯片也进入睡眠，休眠时间越长，功耗越低。通俗讲就比如睡一会醒来看看有没有中断，没有就继续睡，有就唤醒MCU。睡眠时间越长，它的功耗就越低 你的电路里有LDO，LDO本身也会有很大的静态电流的，要想低电流，不能用LDO，一般低功耗的电路，大多是电池供电，你有LDO，不可能做到很低的静态电流的。 已经做到4uA了，原来是ＡＤＣ打开后单片机睡眠时ＡＤＣ没有进入睡眠模式导致。 BitFu 发表于 2019-12-1 20:24
已经做到4uA了，原来是ＡＤＣ打开后单片机睡眠时ＡＤＣ没有进入睡眠模式导致。 ...
整体功耗做到4uA，这么强？也就是4uA的平均功耗，还能接收数据吗？ 芯片是被动控制的，关闭接收，进sleep ，高频停震，4432 功耗1uA都大了，，基本都是mcu 没调好，或者4432 工作状态不对，要吗spi睡眠后状态不对 GemEMD 发表于 2020-4-9 12:02
整体功耗做到4uA，这么强？也就是4uA的平均功耗，还能接收数据吗？
当然不能，这个是定时唤醒后发数据的传感器电路，不需要接收数据。4uA是待机状态下的功耗。 BitFu 发表于 2020-4-17 08:21
当然不能，这个是定时唤醒后发数据的传感器电路，不需要接收数据。4uA是待机状态下的功耗。 ...
那能接受数据的模式有没有试过？比如几秒钟醒来一次，看有没有数据发过来。没数据继续睡。这样能做到多少uA功耗呢 STM8L051 和一个SI4432模块，单独测试一下 梦幻泡影 发表于 2019-11-22 16:16
初始化完成以后，MCU进入低功耗模式，等待外部中断唤醒，射频芯片也进入睡眠，休眠时间越长，功耗越低。 ...
射频芯片进入休眠不怕丢信号吗，怎么处理的啊，求教，MCU外部中断唤醒响应时间来的及啊。 定时醒来，会不会错过数据 ALISWANG 发表于 2020-5-19 21:29
射频芯片进入休眠不怕丢信号吗，怎么处理的啊，求教，MCU外部中断唤醒响应时间来的及啊。 ...
这就要求发射机多发几次了，直到接收机有响应为止，一般发射机的能量是足够的，可以随便造 LDO输出过冲导致的。建议采用迈尔斯通MST5433替代，最高耐压可达55V，高PSRR,低纹波，快响应，立创商城有售样。18362385793
页:
[1]