关于电源的疑问
DCDC Layout客户端经常出现，电路正确，可以输出noise偏大，或者输出电流达不到芯片原有的规格，这个一般是和layout有关的。下面以buck芯片为例：https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x350/__key/communityserver-discussions-components-files/24/less.png从这张图明显可以看到寄生参数带来的影响为了形象说明，我们以TPS62130为例来说明layout中要注意的问题：https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x350/__key/communityserver-discussions-components-files/24/4274.layout2.png
[*]从图中可以看到输入电容是尽量靠近芯片Vin脚。
[*]有效隔离模拟GND和功率GND，在芯片底部短接。
[*]SW脚充实规则（宽大，刚好接近电感PAD大小，同时尽量靠近SW，没有留下过多多余空间。
[*]整个功率回路做到了尽量小。回路过大，寄生参数的影响也会加大，对于OCP的影响特别大，容易造成带载能力下降。
高压低电流方案在客户的应用中经常会遇到一些高压低电流的方案需求，用一般芯片常规topy难以直接实现，下面通过升压芯片列举了三种方案： 1. 升压芯片+耦合电感 2. 升压芯片驱动高压MOS升压 3.升压芯片+chargepump下面通过升压芯片TPS61040, 用三种方案实现升压。TPS61040本身是1.8~6V输入，最高28V输出的升压芯片，而实现远高于28V以上的芯片。客户可以依据不同的输入电压条件，以及负载电压电流需求选择不同的升压芯片，设计方式参考TPS61040即可。
升压芯片+耦合电感https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x300/__key/communityserver-discussions-components-files/24/_26800854_.png这个设计主要注意SW电压，通过SW电压，依据常规的升压方式计算初级电感NP,计算如下：https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x50/__key/communityserver-discussions-components-files/24/_A18B977B_1.png https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x40/__key/communityserver-discussions-components-files/24/_A18B977B_2.png
升压芯片驱动高压MOS升压https://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x300/__key/communityserver-discussions-components-files/24/mos.png这个设计在于芯片利用内置MOS驱动外部高压MOS，从而实现比原本升压芯片更高升压的需求。
升压芯片+chargepumphttps://e2echina.ti.com/resized-image/__size/1230x300/__key/communityserver-discussions-components-files/24/charge.png升压芯片加一级chargepump，以这个设计为例，输出50V，也就是不要chargepump时实际输出25V, 然后依据25V计算原本的TPS61040周边电感之类零件搭配。除了增加一级chargepump倍压外，实际上这个电路还可以增加多级，例如两级chargepump实现100V输出，三级chargepump实现200V输入等。
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