fcccc 发表于 2020-12-28 16:26

关于Flash模拟EEPROM

DS写的flash擦写次数不小于100千次.是指的同一地址重复擦写吗?
如果只需要存1个字节,定义一个区域比如100字节;每次写入地址都累加,循环使用这100个字节;
擦写次数是否就支持100K次x100 = 1000万次?

ttjlc 发表于 2020-12-28 17:34

是的，但是flash的最小写单元可能不是一字节，比如最小写单元是32bits，那么就要除以4。另外flash要先擦除再写，擦除的单元要比写的单元大得多，这个也要考虑进去。如果最小擦除单元是1KB，那么擦除一次，这个空间循环去写也就是分成256个写单元。

084425 发表于 2020-12-28 19:30

是的，可以自己软件模拟，也有对应APNOTE文档参考

ayb_ice 发表于 2020-12-29 14:19

可以的，正确方法就是这样搞的

muyichuan2012 发表于 2020-12-29 14:22

可以参考这个appnote
https://bbs.21ic.com/icview-2966960-1-1.html

v26g7l 发表于 2020-12-31 14:49

可以自己软件模拟

v26g7l 发表于 2020-12-31 14:50

也有资料，直接导入可以。偷懒
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