[KungFu32位 MCU] EEPROM模块开发

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 楼主| liqinmulee 发表于 2021-7-22 16:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 liqinmulee 于 2021-7-27 11:11 编辑

有没有使用CHIPON芯片开发过eeprom的小伙伴,Datasheet中Flash的说明以及样例程序都没有找到相关说明,想问问有没有做过相关开发的小伙伴。 用Flash模拟EEPROM,我看到有用户配置信息区,根据例程的写法,Write Byte前需要Page擦除,这个是不符合EEPROM功能需求的,请问这个片区可以按Byte擦除吗?
编号10086 发表于 2021-7-23 10:08 | 显示全部楼层
什么意思,是要把芯旺微的单片机做成eeprom的意思吗?还是要用它驱动一个eeprom外设?
李彬彬 发表于 2021-7-24 14:12 | 显示全部楼层
void Write_eeprom(unsigned char adder,unsigned char dat)
{
        NVMADDRL=adder;
        NVMDATAL = dat;
        __asm
        MOV         R5 ,#0x04
        MOV         _NVMCTL0,R5
        MOV         R5,#0x69
        MOV         _NVMCTL1,R5
        MOV         R5,#0x96
        MOV         _NVMCTL1,R5
        SET         _NVMCTL0 , 1        ;// 写存在高压,高压还原添加空指令确保后续运行正常
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ                                                ;// 建议10条,至少2条
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ
        NOPZ
        MOV         R5,#0X00
        MOV         _NVMCTL0,R5
        __endasm;
}


unsigned char Read_eeprom(unsigned char adder)
{
        unsigned char ret;

        NVMADDRL = adder;

        NVMCTL0 = 0X01;
        __asm
        NOPZ
        __endasm;
        ret = NVMDATAL;

        return ret;
}

点评

8bit机的 4231  发表于 2021-7-24 14:13
caigang13 发表于 2021-8-2 12:32 来自手机 | 显示全部楼层
flash不能按字节擦出,只能按扇区,页
单片小菜 发表于 2021-8-2 17:19 | 显示全部楼层
你太厉害了,用汇编进行编写flash的驱动。
天意无罪 发表于 2021-8-8 17:46 | 显示全部楼层
FLash不利于拿来模拟成EEPROM使用,因为两者的存储介质和工作原理都不一样。
cyclefly 发表于 2021-8-12 15:55 | 显示全部楼层
这是两种存储,不能互相模拟吧。
模拟的话,只能是模拟一些读写时序,一般
两只袜子 发表于 2021-9-14 11:24 来自手机 | 显示全部楼层
看来也是了不起的程序猿啊,哈哈
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