可控硅等效电路
本帖最后由 captzs 于 2022-1-7 11:26 编辑*)，以下电路的功能是否等效可控硅？我认为不能。为什么？必须分析电路工作模式。file:///C:/t/msohtml1/01/clip_image002.jpg
file:///C:/t/msohtml1/01/clip_image002.jpg
图无法上传，网站怎么啦？
*),如图，两管都是加正压，初始虽然电流很小，但集电极电流全都注入对方发射结，强正反馈彼此增强导通程度，很快深饱和互锁稳定为此非线性模式。没有控制信号已经全导通，两管裸合电路功能不能等效可控硅。
captzs 发表于 2022-1-7 11:30
*),如图，两管都是加正压，初始虽然电流很小，但集电极电流全都注入对方发射结，强正反馈彼此增强导通程度 ...
在GK之间加一个电阻就不会随便导通了 captzs 发表于 2022-1-7 11:30
*),如图，两管都是加正压，初始虽然电流很小，但集电极电流全都注入对方发射结，强正反馈彼此增强导通程度 ...
*)，可控硅等效电路在Q发射结并联合适电阻Rc提供Ic’电流通道，电路属于线性放大模式。左图Ic’=Vbe/Rc，而Q管基极电流占比极小Ib=Ic/β=Ic’/ββ’而接近截止，以β=100计算，仅Ic’的万分之一，由于Vbe压降变化不大，这样的状态保持，输出电流很小，相当于可控硅截止。当足够大的控制电流Ig通过Q发射结(右图)，初始集电极电流以Ic=βIg激增，全部通过Q’发射结，反过来Ic’电流激增又通过Q发射结，强烈的正反馈，两管很快深饱和互锁，只要反馈电流足够，当Ig消失，该状态仍然保持，如第2节所述的非线性模式，相当于可控硅导通。一般在Rc并联一个电容，上电时，电容将Q基极接一下地，保证电路截止逻辑；另外一个作用是缓冲Ig电流。
各位都是大牛，没怎么看懂 原理上等效，小电流等效。 captzs 发表于 2022-1-7 12:50
*)，可控硅等效电路在Q发射结并联合适电阻Rc提供Ic’电流通道，电路属于线性放大模式。左图Ic’=Vbe/Rc， ...
*)，电源电压反向当电源电压正负两端对调，两个三极管的位置调换，控制电流Ig仍然加在NPN管的基极，输出电流Ie就反向(右图)。无控制电流时如左图。
captzs 发表于 2022-1-7 16:44
*)，电源电压反向当电源电压正负两端对调，两个三极管的位置调换，控制电流Ig仍然加在NPN管的基极，输出 ...
* 已经很明显，上述两个电路合二为一，就是双向可控硅等效电路。 captzs 发表于 2022-1-8 19:46
* 已经很明显，上述两个电路合二为一，就是双向可控硅等效电路。
*)，双向可控硅等效电路茶色方框电路等效双向可控硅sxkk，而Qa、Qb与Qc、Qd各组成单向可控硅。当G端没有控制信号，一管对加反压截止，另一管对电流很小接近截止，则双向都不通。 当G端加Ig电流，电源电压T2正T1负时(如左图)，右边的管对加反压截止；初始，左边Qb管输出Icb=Igβ电流加到Qa基极*，Qa输出的Ica=βIgβ(设放大系数一样)电流大部分反馈回Qb的基极，两管都是正反馈很快深饱和互锁，在T1端输出Io电流。当电源电压相反时(右图)，则左管对截止，右管对导通输出反向电流，这样就实现双向可控导通。两个控制端不可短接，用二极管隔离。*)，足够大的Ig也可能使Qb迅速越过放大区进入饱和，饱和电流又使Qa饱和，结果也是互锁稳定在深饱和状态。
耦合不等于缩合，
可控硅是单体，不是集成，
可控硅，应该视之为P外延NPN管。 等效，是宏观层面，原理，在微观层面，
等效电路，以电路 等某元件之效，四层元件的等效电路，就那么一种(三种三极管都可用)。 本帖最后由 captzs 于 2022-1-10 10:38 编辑
captzs 发表于 2022-1-8 19:55
*)，双向可控硅等效电路茶色方框电路等效双向可控硅sxkk，而Qa、Qb与Qc、Qd各组成单向可控硅。当G端没有 ...
*),换个思路双向可控硅的逻辑是可控双向导通，那么搭建整流桥+单向可控硅电路就可以实现。整流桥可以双向导通，桥臂的左右两中点用单向可控硅连接，当可控硅截止，整流桥不通；当可控硅被触发导通，整流桥上下两端加交变电压都可以在Ro输出。此电路压降是两个二极管压降+可控硅压降，较大。
captzs 发表于 2022-1-10 10:37
*),换个思路双向可控硅的逻辑是可控双向导通，那么搭建整流桥+单向可控硅电路就可以实现。整流桥可以双向 ...
*)，两个可控硅或者三极管与二极管组成整流桥，就减少一个二极管压降。用mog管组成的整流桥，压降进一步减小。
captzs 发表于 2022-1-10 15:06
*)，两个可控硅或者三极管与二极管组成整流桥，就减少一个二极管压降。用mog管组成的整流桥，压降进一步 ...
*）可控硅导通压降大，大电流时损耗AV大。以下两管反向并联，电流仅仅通过三极管，压降由其决定，选择饱和压降小的就行。无可控电流时两管都不通，相当于可控硅截止。有可控电流时，一个三极管反压截止，一个加正压导通。红线与绿线电流分别对应正反电压。E极接地用二极管隔离。以下仿真，电源120V，电流11.97A，导通压降0.3V，与一般管差不多。
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