小和尚520 发表于 2022-10-30 10:02

MOS管的导通电阻与漏源耐压是正比还是反比关系？

从工艺来说，MOS管的导通电阻与漏源耐压是正比还是反比关系？

Siderlee 发表于 2022-12-22 09:55

从基本的理解上看，
Vds和Rdson都正比于芯片的厚度

这也是高压芯片导通电阻一般都很难做小的原因

tianxj01 发表于 2022-12-22 11:02

同种工艺，同样芯片面积，导阻和耐压成反比关系，而且基本线性。
页: [1]
查看完整版本: MOS管的导通电阻与漏源耐压是正比还是反比关系？