EE擦写次数超过后会怎样？
今天看论坛看到相关问题，发个贴请教下，确实没碰到过这种情况，如果100w次的话，假设一天擦100次，也能用1W天，大概27.几年，10W次的话就两三年 超过可能数据写不正确了 ayb_ice 发表于 2023-4-14 14:33超过可能数据写不正确了
哦，那不在写的话，仅仅读的话应该能读正确吧 路过，学习了 超过，则写不进去了，读出来的数据跟写进去的不相等。 本帖最后由 567 于 2023-4-15 17:44 编辑
是擦除失败，或者说擦不干净。
这是一个渐变的过程，不是说10万次寿命，到100001次就突然不行了。
到达一定次数后擦不干净，多擦几遍，或者增加擦除时间，还可以继续顶一阵子。
擦除失败，就没法正确写入，谈论能否读取就更没什么意义了。
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刚看到楼主说的是EEPROM。上面指的是flash，情况有一些差别。
建议查看一下使用的EEPROM 的技术资料，还有不同品牌的EEPROM 的具体应用。 567 发表于 2023-4-15 17:38
是擦除失败，或者说擦不干净。
这是一个渐变的过程，不是说10万次寿命，到100001次就突然不行了。
到达一定 ...
多谢指点，我看到网上有人说是一位一位的写不了，寿命到了的话 以前做过"磨" EE特定地址的频繁读写测试程序：每1秒读写一次。用LCD1602显示屏，来显示读写的次数。 当时大概磨了1天不到，也就是大概5万次。就无法写入了，LCD1602屏上的数字卡在那里不动了。
可以算一下，1天24小时，1小时3600秒，磨1天可以读写86400次。可见1天不到就不行，到5万次就不行了！
另外，换个地址，又可以正常读写的。
所以，EE读写频率与次数，真的很重要。直接影响寿命
STC内部EEPROM上电时读到 SRAM 中，在SRAM中改写；掉电时及时保存到 EEPROM/DATA-FLASH中。用内部比较器做外部掉电检测，所以不存在这个问题
STCMCUNT015 发表于 2023-5-4 10:00
STC内部EEPROM上电时读到 SRAM 中，在SRAM中改写；掉电时及时保存到 EEPROM/DATA-FLASH中。用内部比较器做 ...
也就是说只是断电上电才写，这么牛？{:shocked:}
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