pixhw
发表于 2024-3-5 12:00
在设计I2C总线的5V和3.3V电平转换电路时，通常会使用一个或多个场效应晶体管（如NMOS或专用的电平转换芯片）来进行双向电平转换。
dspmana
发表于 2024-3-5 13:53
在实际应用中，还需要考虑电路的稳定性、噪声干扰等因素，可能需要在电路中添加滤波电容等元件。
pl202
发表于 2024-3-5 15:51
在这个电路中，当总线为高电平时，MOSFET管的门极和源极都是3.3V，由于VGS（门极和源极之间的电压差）低于MOSFET的阈值电压，所以MOSFET管不导通。这时，“高电压”部分的总线线路可以通过上拉电阻Rp拉到5V。
jkl21
发表于 2024-3-5 20:28
MOSFET：选择一个N沟道MOSFET，其源极和漏极能够处理5V的电平，而门极需要能够处理3.3V的电平。
上拉电阻Rp：选择一个适当的电阻值，以确保在MOSFET断开时，3.3V总线能够通过上拉电阻稳定在3.3V电平。
时钟振荡器：用于提供控制信号给MOSFET的门极，以调节MOSFET的导通和断开。