请问CH563Q,发热的主要原因是哪里?
请问CH563Q,发热的主要原因是哪里?用到了:USB-HID;TCP;
目前用的是 DC/DC-12V/5V; 1117-3.3V;1117-1.8V;
请问这个发热的原因是 3.3V 还是1.8V内核?
另外,这个1.8V,用LDO可以吗?
厂家推荐有什么供电方案?
谢谢!
CH563功耗较高,可以考虑使用硬件降温的方式解决温度问题,比如PCB底部开孔或者增加散热片等降温方式。
可以描述下您的应用方向,若是以太网相关应用可以考虑使用CH32V307,类似功能,性价比更好。 集成电路从电源获取电流时,总会有一部分能量以热的形式损失。 芯片的功耗直接影响其发热量。如果RSETE电阻值设置不当,可能会导致功耗过高。将RSETE的电阻改为18K欧姆可以降低功耗,从而减少发热。 如果MCU的散热设计不合理 如果连接到MCU的外部设备或负载功耗较大,那么这些设备在工作时可能会消耗大量的电能,并产生热量。这部分热量可能会传导到MCU上,导致其温度升高。 如散热不良、外部环境温度高、设备包装密度大等都可能导致集成电路温度升高。 需要考虑其散热设计,比如使用散热片、风扇或其他散热措施。 PCB的布局设计也会对芯片的温度产生影响。如果CH563Q周围的热屏蔽做得不好,或者PCB上没有足够的散热措施,那么产生的热量就会在芯片附近累积,导致温度升高。 CH563Q在处理数据传输和网络通信时,需要消耗一定的能量。当数据传输量较大或网络通信较为频繁时,CH563Q的工作负载增加,可能导致芯片温度升高。 CH563Q的工作频率如果设置得过高,也会导致芯片发热。 如果封装类型不利于散热,或者散热设计不合理,可能导致芯片温度升高。 芯片的工作环境温度也会影响其发热情况。如果环境温度较高,芯片散热能力会下降,从而导致芯片表面温度升高。 如果内核电压不稳定或过高,可能导致微控制器在工作时过热。 CH563Q的电源电压可能直接影响其功耗和发热。 MCU在工作时,其内部的晶体管、电阻、电容等元件会产生热量。特别是当MCU运行高负荷任务或执行大量计算时,其内部的功耗增加,从而导致温度升高。 不恰当的电源管理可能导致电压过高或电流过大,从而使MCU发热。 芯片周边电路的硬件问题,如电源短路、负载过大、某部分电路异常等,都可能造成芯片电流异常增大,从而引发过热现象。 芯片的工作频率越高,其处理速度越快,但同时也会消耗更多的电能,产生更多的热量。适当降低主频可以减少热量的产生。 CH563Q的封装类型和散热设计可能影响其散热效果。
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